85EPS12J

更新时间： 2024-11-07 03:10:59

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描述
INPUT RECTIFIER DIODE

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85EPS12J 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	POWIRTAB-1	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.75
应用：	GENERAL PURPOSE	外壳连接：	CATHODE
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PSFM-X1
最大非重复峰值正向电流：	1500 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	1
最大输出电流：	85 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	260	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	1200 V	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	Base Number Matches：	1

85EPS12J 数据手册

Bulletin I2139 rev. C 10/02

SAFEIR Series

85EPS..

INPUT RECTIFIER DIODE

I_F(RMS)= 160A

V_F

< 1.15V @ 85A

I_FSM= 1400A

V_RRM800 and 1200V

Description/ Features

Major Ratings and Characteristics

The 85EPS.. rectifier SAFEIR series has been

Characteristics

85EPS.. Units

optimized for very low forward voltage drop, with

moderateleakage.

Sinewaveform

@T_C= 95°C

F(AV)

160

The glass passivation technology used has reliable

operation up to 150° C junction temperature.

Available in the new PowIRtab^TMpackage, this new

series is suitable for a large range of applications

combiningexcellentdietofootprintratioandsturdeness

connectivity for use in high current environments.

F(RMS)

range (*)

800 and 1200

RRM

1400

1.15

FSM

@85A,T =25°C

range

-40 to150

°C

Case Styles

85EPS..

85EPS..J

(*) for higher voltage up to 1600V contact factory

www.irf.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
85EPS12R	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 85A, 1200V V(RRM),
85F100	OHMITE	获取价格	High Power
85F10K	OHMITE	获取价格	High Power
85F10K5	OHMITE	获取价格	High Power
85F10R	OHMITE	获取价格	Military Grade 80 Series MIL-R-26 Qualified
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