是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | SOIC |
包装说明: | 0.207 INCH, PLASTIC, SOIC-8 | 针数: | 8 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.51 | 风险等级: | 5.6 |
最大时钟频率 (fCLK): | 0.1 MHz | 数据保留时间-最小值: | 200 |
耐久性: | 1000000 Write/Erase Cycles | I2C控制字节: | 1010DDMR |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G8 | JESD-609代码: | e0 |
内存密度: | 4096 bit | 内存集成电路类型: | EEPROM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 8 | 字数: | 512 words |
字数代码: | 512 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 512X8 | 输出特性: | OPEN-DRAIN |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | SOP |
封装等效代码: | SOP8,.3 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 并行/串行: | SERIAL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 串行总线类型: | I2C |
最大待机电流: | 0.0001 A | 子类别: | EEPROMs |
最大压摆率: | 0.00425 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | AUTOMOTIVE | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
最长写入周期时间 (tWC): | 1 ms | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
85C92T-E/SM | MICROCHIP |
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512 X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8, 0.207 INCH, PLASTIC, SOIC-8 | |
85C92TI/P | MICROCHIP |
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512 X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDIP8, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-8 | |
85C92T-I/SL | MICROCHIP |
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512 X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO14, PLASTIC, SOIC-14 | |
85C92TI/SM | MICROCHIP |
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512 X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8, 0.207 INCH, PLASTIC, SOIC-8 | |
85C92T-I/SM | MICROCHIP |
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512 X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8, 0.207 INCH, PLASTIC, SOIC-8 | |
85CB016DC13 | ETRI |
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AC High Performance Fans | |
85-CBSANSV-7.0X11.0X1.5 | ETC |
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85-CBSANSV-7.0X11.0X1.5--85S05-- | |
85-CBSF-3.5X7.5X0.8 | ETC |
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85-CBSF-3.5X7.5X0.8--85S04--CIRC | |
85CNQ007 | INFINEON |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 80A, 7V V(RRM), Silicon | |
85CNQ015 | MICROSEMI |
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80 Amp Schottky ORing Rectifier |