是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | SOIC | 包装说明: | SOP, SOP8,.3 |
针数: | 8 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.84 | 其他特性: | 10K ERASE/WRITE CYCLES MIN; DATA RETENTION > 40 YEARS |
最大时钟频率 (fCLK): | 0.1 MHz | 数据保留时间-最小值: | 200 |
耐久性: | 1000000 Write/Erase Cycles | I2C控制字节: | 1010DDMR |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G8 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 5.28 mm | 内存密度: | 4096 bit |
内存集成电路类型: | EEPROM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 8 |
字数: | 512 words | 字数代码: | 512 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 512X8 |
输出特性: | OPEN-DRAIN | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | SOP | 封装等效代码: | SOP8,.3 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
并行/串行: | SERIAL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 2.03 mm | 串行总线类型: | I2C |
最大待机电流: | 0.0001 A | 子类别: | EEPROMs |
最大压摆率: | 0.00425 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | AUTOMOTIVE | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 5.207 mm | 最长写入周期时间 (tWC): | 1 ms |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
85C92TI/P | MICROCHIP |
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512 X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDIP8, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-8 | |
85C92T-I/SL | MICROCHIP |
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512 X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO14, PLASTIC, SOIC-14 | |
85C92TI/SM | MICROCHIP |
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512 X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8, 0.207 INCH, PLASTIC, SOIC-8 | |
85C92T-I/SM | MICROCHIP |
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512 X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8, 0.207 INCH, PLASTIC, SOIC-8 | |
85CB016DC13 | ETRI |
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AC High Performance Fans | |
85-CBSANSV-7.0X11.0X1.5 | ETC |
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85-CBSANSV-7.0X11.0X1.5--85S05-- | |
85-CBSF-3.5X7.5X0.8 | ETC |
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85-CBSF-3.5X7.5X0.8--85S04--CIRC | |
85CNQ007 | INFINEON |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 80A, 7V V(RRM), Silicon | |
85CNQ015 | MICROSEMI |
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80 Amp Schottky ORing Rectifier | |
85CNQ015 | INFINEON |
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SCHOTTKY RECTIFIER |