生命周期: | Active | 零件包装代码: | DIP |
包装说明: | DIP-14 | 针数: | 14 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.33.00.01 | 风险等级: | 1.24 |
Is Samacsys: | N | 放大器类型: | OPERATIONAL AMPLIFIER |
架构: | VOLTAGE-FEEDBACK | 最大平均偏置电流 (IIB): | 0.05 µA |
25C 时的最大偏置电流 (IIB): | 0.0002 µA | 最小共模抑制比: | 80 dB |
标称共模抑制比: | 86 dB | 频率补偿: | YES |
最大输入失调电流 (IIO): | 0.02 µA | 最大输入失调电压: | 15000 µV |
JESD-30 代码: | R-GDIP-T14 | 长度: | 19.56 mm |
低-偏置: | YES | 低-失调: | NO |
微功率: | NO | 负供电电压上限: | -18 V |
标称负供电电压 (Vsup): | -15 V | 功能数量: | 4 |
端子数量: | 14 | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 封装主体材料: | CERAMIC, GLASS-SEALED |
封装代码: | DIP | 封装等效代码: | DIP14,.3 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
包装方法: | TUBE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
功率: | NO | 电源: | +-15 V |
可编程功率: | NO | 认证状态: | Qualified |
筛选级别: | MIL-STD-883 | 座面最大高度: | 5.08 mm |
最小摆率: | 5 V/us | 标称压摆率: | 13 V/us |
子类别: | Operational Amplifier | 最大压摆率: | 3.5 mA |
供电电压上限: | 18 V | 标称供电电压 (Vsup): | 15 V |
表面贴装: | NO | 技术: | BIPOLAR |
温度等级: | MILITARY | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 标称均一增益带宽: | 3000 kHz |
最小电压增益: | 15000 | 宽度: | 7.62 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
TL074MJ | TI |
完全替代 |
LOW-NOISE JFET-INPUT OPERATIONAL AMPLIFIERS | |
LF147J/883 | NSC |
功能相似 |
Wide Bandwidth Quad JFET Input Operational Amplifiers |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
8102306CX | ETC |
获取价格 |
Voltage-Feedback Operational Amplifier | |
8102306DA | TI |
获取价格 |
LOW-NOISE JFET-INPUT OPERATIONAL AMPLIFIERS | |
8102306DX | ETC |
获取价格 |
Voltage-Feedback Operational Amplifier | |
8102401VA | ETC |
获取价格 |
x1 SRAM | |
8102401XA | ETC |
获取价格 |
x1 SRAM | |
8102402VA | INTERSIL |
获取价格 |
1024 x 4 CMOS RAM | |
8102402XA | ETC |
获取价格 |
x4 SRAM | |
8102403VA | RENESAS |
获取价格 |
4KX1 STANDARD SRAM, 220ns, CDIP18 | |
8102403XA | ETC |
获取价格 |
x1 SRAM | |
8102404VA | INTERSIL |
获取价格 |
1024 x 4 CMOS RAM |