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8050SS

更新时间： 2024-11-11 08:06:47

品牌	Logo	应用领域
江苏长电/长晶 - CJ		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	385K
描述
TRANSISTOR（ NPN ）

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8050SS 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.83

8050SS 数据手册

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors

8050SS TRANSISTOR（ NPN ）

TO— 92

FEATURES

Power dissipation

1.EMITTER

2. COLLECTOR

3. BASE

P_CM

Collector current

I_CM: 1.5

（Tamb=25℃）

Collector-base voltage

V_(BR)CBO: 40

1 2 3

Operating and storage junction temperature range

T_J，T_stg: -55℃ to +150℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS（Tamb=25℃

unless otherwise specified）

Parameter

Symbol

V(BR)_CBO

V(BR)_CEO

V(BR)_EBO

I_CBO

Test

Ic= 100 μA ， I_E=0

I_C= 0.1 mA , I_B=0

I_E= 100 μA， I_C=0

conditions

MIN

TYP

MAX

UNIT

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

V_CB= 40 V ,

V_CE= 20 V ,

I_E=0

I_B=0

0.1

300

μA

Collector cut-off current

I_CEO

Emitter cut-off current

I_EBO

V_EB= 5

V , I_C=0

h_FE（1）

V_CE= 1 V , I_C= 100 mA

V_CE= 1 V , I_C=800 mA

I_C= 800 mA, I_B= 80 mA

I_C= 800mA, I_B= 80 mA

DC current gain

h_FE（2）

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

V_CE(sat)

V_BE(sat)

0.5

1.2

V_CE= 10 V, I = 50mA

Transition frequency

100

MHz

f =30 MHz

CLASSIFICATION OF h_FE(1)

Rank

Range

85-160

120-200

160-300

12 3

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