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7N65F

更新时间： 2024-11-15 17:14:59

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友台半导体 - UMW		/
页数	文件大小	规格书
11页	687K
描述
种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:650V;持续漏极电流（Id）（在25°C时）:7A;Vgs(th)(V):±30;漏源导通电阻:1.4mΩ@10V

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7N65F 数据手册

UMW

7N65

N-道沟功率

MOS 管

Features

VDS (V)=650V

ID=7.0A

1.4 (VGS = 10V)

RDS(ON)

●最大额定值（TC=25°C）

●Absolute Maximum Ratings（Tc=25°C）TO-220/220F/263/TO-252

数参

PARAMETER

号符

SYMBOL

值定额

VALUE

位单

UNIT

漏-电源压

V_DS

V_GS

650

Drain-source Voltage

栅-电源压

gate-source Voltage

±30

电极漏流

Continuous Drain Current

TC=25℃

I_D

7.0

3.2

电极漏流

Continuous Drain Current

TC=100℃

I_D

最大冲脉电流

Drain Current －Pulsed

I_DM

①

TO-220

功散耗率

Power Dissipation

P_tot

TO-220F

148

TO-262/263:142

结高最温

Junction Temperature

温储存度

150

°C

T_STG

-55-150

230

Storage Temperature

脉单冲崩雪能量

Single Pulse Avalanche Energy ②

E_AS

www.umw-ic.com

UTD Semiconductor Co.,Limited

12 3 4 5 6 7...11

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