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7N65

更新时间： 2024-11-15 14:53:35

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鲁光 - LGE		晶体管场效应晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	1067K
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场效应晶体管

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7N65 数据手册

7 N 6 5

7A,650V N-Channel Power Mosfet

FEATURES



R_DS(ON)=1.35Ω@ V_GS= 10V

Ultra low gate charge ( typical 30 nC )

Low reverse transfer Capacitance ( CRSS = typical 18 pF )

Fast switching capability

Avalanche energy specified

Improved dv/dt capability, high ruggedness

TO-220AB

MAXIMUM RATING @ Ta=25℃ unless otherwise specified

Symbol

Parameter

Value

650

Units

V_DSS

Drain-Source voltage

±20

V_GSS

I_D

Gate -Source voltage

Continuous Drain Current

Pulsed Drain Current

7.0

I_DM

E_AS

P_D

Avalanche Energy

Power Dissipation

Single Pulsed

450

100

T_J

+150

℃

Junction Temperature

Operating and Storage Temperature

T_OPR, Tstg

-55 to +150

http://www.lgesemi.com

mail:lge@lgesemi.com

Revision:20170701-P1

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