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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| 风险等级： | 5.92 | 最长访问时间： | 120 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 4194304 bit | 内存集成电路类型： | SRAM MODULE |
| 内存宽度： | 8 | 端子数量： | 36 |
| 字数： | 524288 words | 字数代码： | 512000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 512KX8 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装等效代码： | SIP36 | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大待机电流： | 0.00004 A |
| 最小待机电流： | 2 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.11 mA | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 6 |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 7MP4104S20M | IDT | SRAM Module, 1MX32, 20ns, CMOS, PSMA80 |
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| 7MP4104S20Z | IDT | SRAM Module, 1MX32, 20ns, CMOS, PZIP80 |
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| 7MP4104S25M | IDT | SRAM Module, 1MX32, 25ns, CMOS, PSMA80 |
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| 7MP4104S25Z | IDT | SRAM Module, 1MX32, 25ns, CMOS, PZIP80 |
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| 7MP4104S35M | IDT | SRAM Module, 1MX32, 35ns, CMOS, PSMA80 |
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| 7MP4104S35Z | IDT | SRAM Module, 1MX32, 35ns, CMOS, PZIP80 |
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