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7MBR50NE-060

更新时间： 2024-01-11 15:45:31

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富士电机 - FUJI		晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网
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描述
Power Integrated Module (PIM)

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7MBR50NE-060 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X21
针数：	21	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.84	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	50 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	COMPLEX	门极-发射极最大电压：	20 V
JESD-30 代码：	R-XUFM-X21	元件数量：	7
端子数量：	21	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	VCEsat-Max：	2.9 V
Base Number Matches：	1

7MBR50NE-060 数据手册

Power Integrated Module (PIM)

n Features

· Included Rectifier and Brake Chopper

· Square RBSOA

n Outline Drawing

· Low Saturation Voltage

· Overcurrent Limiting Function

( ~ 3 Times Rated Current )

n Equivalent Circuit

n Absolute Maximum Ratings ( T_c=25°C)

Items

Symbols

Test Conditions

Ratings

600

± 20

100

200

800

900

350

648

600

± 20

Units

Collector-Emitter Voltage

Gate -Emitter Voltage

V_CES

V_GES

I_C

I_{C PULSE}

-I_{C PULSE}

P_C

V_RRM

V_RSM

I_O

Continuous

1ms

Collector Current

Collector Power Dissipation

1 device

Repetitive Peak Reverse Voltage

Non Repetitive Peak Reverse Voltage

Average Output Current

50Hz/60Hz sin. wave

T_j=150°C, 10ms

A²s

Surge Current (Non Repetitive)

I_FSM

I²t

(Non Repetitive)

Collector-Emitter Voltage

Gate -Emitter Voltage

V_CES

V_GES

I_C

I_{C PULSE}

P_C

V_RRM

I_F(AV)

I_FSM

T_j

T_Stg

V_ISO

Continuous

1ms

1 device

Collector Current

100

200

600

Collector Power Dissipation

Repetitive Peak Reverse Voltage

Average Forward Current

Surge Current

Operating Junction Temperature

Storage Temperature

10ms

+150

-40 ~ +125

2500

1.7

°C

Isolation Voltage

A.C. 1min.

Mounting Screw Torque *¹

Note: *1:Recommendable Value; 1.3 ~ 1.7 Nm (M4)

12 3 4 5 6 7 8

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