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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 35 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 1200 V | 门极-发射极最大电压： | 20 V |
| 元件数量： | 1 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 240 W | 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| VCEsat-Max： | 2.7 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 7MBR35SB140 | FUJI |
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Power Integrated Module |
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| 7MBR35SB-140 | ETC |
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IGBTs |
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| 7MBR35SB140_0105 | FUJI |
获取价格 |
IGBT MODULE |
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| 7MBR35SB140-01 | FUJI |
获取价格 |
IGBT Module |
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| 7MBR35SD120 | FUJI |
获取价格 |
PIM/Built-in converter with thyristor and brake (S series) 1200V / 35A / PIM |
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| 7MBR35SD120_04 | FUJI |
获取价格 |
PIM/Built-in converter with thyristor and brake |
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| 7MBR35UA120 | FUJI |
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IGBT MODULE (U series) 1200V / 35A / PIM |
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| 7MBR35UA-120 | ETC |
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IGBTs |
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| 7MBR35UB120 | FUJI |
获取价格 |
IGBT MODULE (U series) 1200V / 35A / PIM |
|
| 7MBR35UD120 | FUJI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, |
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