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79LV0832XPQI-20

更新时间： 2024-11-17 22:11:19
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麦斯威 - MAXWELL 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
页数 文件大小 规格书
21页 459K
描述
8 Megabit (256K x 32-Bit) Low Voltage EEPROM MCM

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79LV0832XPQI-20 技术参数

生命周期：Transferred零件包装代码：QFP
包装说明：QFF, TPAK96,3SQ针数：96
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A001.A.2.C
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.41
最长访问时间：200 ns数据轮询：YES
JESD-30 代码：S-XQFP-F96长度：43.3578 mm
内存密度：8388608 bit内存集成电路类型：EEPROM
内存宽度：32功能数量：1
端子数量：96字数：262144 words
字数代码：256000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-55 °C
组织：256KX32封装主体材料：UNSPECIFIED
封装代码：QFF封装等效代码：TPAK96,3SQ
封装形状：SQUARE封装形式：FLATPACK
页面大小：128 words并行/串行：PARALLEL
电源：3.3 V编程电压：3 V
认证状态：Not Qualified就绪/忙碌：YES
座面最大高度：6.223 mm最大待机电流：0.00008 A
子类别：EEPROMs最大压摆率：0.1 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：3 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：MILITARY
端子形式：FLAT端子节距：1.27 mm
端子位置：QUAD切换位：NO
总剂量：100k Rad(Si) V宽度：43.3578 mm
最长写入周期时间 (tWC)：15 ms写保护：HARDWARE/SOFTWARE
Base Number Matches：1

79LV0832XPQI-20 数据手册

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79LV0832  
8 Megabit (256K x 32-Bit)  
Low Voltage EEPROM MCM  
FEATURES:  
DESCRIPTION:  
• 256k x 32-bit EEPROM MCM  
• RAD-PAK® radiation-hardened against natural  
space radiation  
Maxwell Technologies’ 79LV0832 multi-chip module (MCM)  
memory features a greater than 100 krad (Si) total dose toler-  
ance, dependent upon orbit. Using Maxwell Technologies’ pat-  
ented radiation-hardened RAD-PAK® MCM packaging  
technology, the 79LV0832 is the first radiation-hardened 8  
megabit MCM EEPROM for space application. The 79LV0832  
uses eight 1 Megabit high speed CMOS die to yield an 8  
megabit product. The 79LV0832 is capable of in-system elec-  
trical dword and page programmability. It has a 128 x 32 byte  
page programming function to make its erase and write opera-  
tions faster. It also features Data Polling and a Ready/Busy  
signal to indicate the completion of erase and programming  
operations. In the 79LV0832, hardware data protection is pro-  
vided with the RES pin. Software data protection is imple-  
mented using the JEDEC standard algorithm.  
• Total dose hardness:  
- >100 krad (Si)  
- Dependent upon orbit  
• Excellent Single event effects  
- SEL > 84.7 MeV/mg/cm2  
TH  
- SEU > 26.6 MeV/mg/cm2 read mode  
- SEU = 11.4 MeV/mg/cm2 write mode  
• High endurance  
- 10,000 cycles/dword, 10 year data retention  
• Page Write Mode: 2 X 128 dword page  
• High Speed:  
- 200 and 250 ns maximum access times  
• Automatic programming  
- 15 ms automatic Page/dword write  
Maxwell Technologies' patented RAD-PAK® packaging technol-  
ogy incorporates radiation shielding in the microcircuit pack-  
age. It eliminates the need for box shielding while providing  
the required radiation shielding for a lifetime in orbit or space  
mission. In a GEO orbit, RAD-PAK®‘ provides greater than 100  
krad (Si) radiation dose tolerance. This product is available  
with screening up to MAxwell Technologies self-defined Class  
K.  
01.10.05 Rev 8  
1
All data sheets are subject to change without notice  
(858) 503-3300 - Fax: (858) 503-3301 - www.maxwell.com  
©2005 Maxwell Technologies  
All rights reserved.  
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