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79LV0832XPQH-20

更新时间： 2024-11-19 22:11:19

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麦斯威 - MAXWELL		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
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8 Megabit (256K x 32-Bit) Low Voltage EEPROM MCM

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79LV0832XPQH-20 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	QFP
包装说明：	QFF, TPAK96,3SQ	针数：	96
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A001.A.2.C
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.41
最长访问时间：	200 ns	数据轮询：	YES
JESD-30 代码：	S-XQFP-F96	长度：	43.3578 mm
内存密度：	8388608 bit	内存集成电路类型：	EEPROM
内存宽度：	32	功能数量：	1
端子数量：	96	字数：	262144 words
字数代码：	256000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	256KX32	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装代码：	QFF	封装等效代码：	TPAK96,3SQ
封装形状：	SQUARE	封装形式：	FLATPACK
页面大小：	128 words	并行/串行：	PARALLEL
电源：	3.3 V	编程电压：	3 V
认证状态：	Not Qualified	就绪/忙碌：	YES
筛选级别：	38535Q/M;38534H;883B	座面最大高度：	6.223 mm
最大待机电流：	0.00008 A	子类别：	EEPROMs
最大压摆率：	0.1 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子形式：	FLAT
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	QUAD
切换位：	NO	总剂量：	100k Rad(Si) V
宽度：	43.3578 mm	最长写入周期时间 (tWC)：	15 ms
写保护：	HARDWARE/SOFTWARE	Base Number Matches：	1

79LV0832XPQH-20 数据手册

79LV0832

8 Megabit (256K x 32-Bit)

Low Voltage EEPROM MCM

FEATURES:

DESCRIPTION:

• 256k x 32-bit EEPROM MCM

• R^AD-PAK® radiation-hardened against natural

space radiation

Maxwell Technologies’ 79LV0832 multi-chip module (MCM)

memory features a greater than 100 krad (Si) total dose toler-

ance, dependent upon orbit. Using Maxwell Technologies’ pat-

ented radiation-hardened R^AD-PAK® MCM packaging

technology, the 79LV0832 is the first radiation-hardened 8

megabit MCM EEPROM for space application. The 79LV0832

uses eight 1 Megabit high speed CMOS die to yield an 8

megabit product. The 79LV0832 is capable of in-system elec-

trical dword and page programmability. It has a 128 x 32 byte

page programming function to make its erase and write opera-

tions faster. It also features Data Polling and a Ready/Busy

signal to indicate the completion of erase and programming

operations. In the 79LV0832, hardware data protection is pro-

vided with the RES pin. Software data protection is imple-

mented using the JEDEC standard algorithm.

• Total dose hardness:

- >100 krad (Si)

- Dependent upon orbit

• Excellent Single event effects

- SEL > 84.7 MeV/mg/cm²

- SEU > 26.6 MeV/mg/cm²read mode

- SEU = 11.4 MeV/mg/cm²write mode

• High endurance

- 10,000 cycles/dword, 10 year data retention

• Page Write Mode: 2 X 128 dword page

• High Speed:

- 200 and 250 ns maximum access times

• Automatic programming

- 15 ms automatic Page/dword write

Maxwell Technologies' patented R^AD-PAK® packaging technol-

ogy incorporates radiation shielding in the microcircuit pack-

age. It eliminates the need for box shielding while providing

the required radiation shielding for a lifetime in orbit or space

mission. In a GEO orbit, R^AD-PAK®‘ provides greater than 100

krad (Si) radiation dose tolerance. This product is available

with screening up to MAxwell Technologies self-defined Class

01.10.05 Rev 8

All data sheets are subject to change without notice

(858) 503-3300 - Fax: (858) 503-3301 - www.maxwell.com

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