Datasheet > 存储 > EEPROM> 79LV0832RPQK-20

79LV0832RPQK-20

更新时间： 2024-11-10 22:25:23

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麦斯威 - MAXWELL		存储内存集成电路可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
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8 Megabit (256K x 32-Bit) Low Voltage EEPROM MCM

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79LV0832RPQK-20 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	QFP
包装说明：	QFF, TPAK96,2.5SQ	针数：	96
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A001.A.2.C
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.19
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	200 ns
数据轮询：	YES	JESD-30 代码：	S-XQFP-F96
长度：	36.068 mm	内存密度：	8388608 bit
内存集成电路类型：	EEPROM	内存宽度：	32
功能数量：	1	端子数量：	96
字数：	262144 words	字数代码：	256000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	256KX32
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装代码：	QFF
封装等效代码：	TPAK96,2.5SQ	封装形状：	SQUARE
封装形式：	FLATPACK	页面大小：	128 words
并行/串行：	PARALLEL	电源：	3.3 V
编程电压：	3 V	认证状态：	Not Qualified
就绪/忙碌：	YES	筛选级别：	38535V;38534K;883S
座面最大高度：	5.4864 mm	最大待机电流：	0.00008 A
子类别：	EEPROMs	最大压摆率：	0.1 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子形式：	FLAT	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	QUAD	切换位：	NO
总剂量：	100k Rad(Si) V	宽度：	36.068 mm
最长写入周期时间 (tWC)：	15 ms	写保护：	HARDWARE/SOFTWARE
Base Number Matches：	1

79LV0832RPQK-20 数据手册

79LV0832

8 Megabit (256K x 32-Bit)

Low Voltage EEPROM MCM

FEATURES:

DESCRIPTION:

• 256k x 32-bit EEPROM MCM

• R^AD-PAK® radiation-hardened against natural

space radiation

Maxwell Technologies’ 79LV0832 multi-chip module (MCM)

memory features a greater than 100 krad (Si) total dose toler-

ance, dependent upon orbit. Using Maxwell Technologies’ pat-

ented radiation-hardened R^AD-PAK® MCM packaging

technology, the 79LV0832 is the first radiation-hardened 8

megabit MCM EEPROM for space application. The 79LV0832

uses eight 1 Megabit high speed CMOS die to yield an 8

megabit product. The 79LV0832 is capable of in-system elec-

trical dword and page programmability. It has a 128 x 32 byte

page programming function to make its erase and write opera-

tions faster. It also features Data Polling and a Ready/Busy

signal to indicate the completion of erase and programming

operations. In the 79LV0832, hardware data protection is pro-

vided with the RES pin. Software data protection is imple-

mented using the JEDEC standard algorithm.

• Total dose hardness:

- >100 krad (Si)

- Dependent upon orbit

• Excellent Single event effects

- SEL > 84.7 MeV/mg/cm²

- SEU > 26.6 MeV/mg/cm²read mode

- SEU = 11.4 MeV/mg/cm²write mode

• High endurance

- 10,000 cycles/dword, 10 year data retention

• Page Write Mode: 2 X 128 dword page

• High Speed:

- 200 and 250 ns maximum access times

• Automatic programming

- 15 ms automatic Page/dword write

Maxwell Technologies' patented R^AD-PAK® packaging technol-

ogy incorporates radiation shielding in the microcircuit pack-

age. It eliminates the need for box shielding while providing

the required radiation shielding for a lifetime in orbit or space

mission. In a GEO orbit, R^AD-PAK®‘ provides greater than 100

krad (Si) radiation dose tolerance. This product is available

with screening up to MAxwell Technologies self-defined Class

01.10.05 Rev 8

All data sheets are subject to change without notice

(858) 503-3300 - Fax: (858) 503-3301 - www.maxwell.com

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