Datasheet > 存储 > EEPROM> 79LV0408RT4FK-25

79LV0408RT4FK-25

更新时间： 2024-11-24 22:16:03

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麦斯威 - MAXWELL		存储内存集成电路光电二极管可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
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Low Voltage 4 Megabit (512k x 8-bit) EEPROM

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79LV0408RT4FK-25 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	DFP
包装说明：	DFP,	针数：	40
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A001.A.2.C
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.17
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	250 ns
JESD-30 代码：	R-PDFP-F40	长度：	25.273 mm
内存密度：	4194304 bit	内存集成电路类型：	EEPROM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	40	字数：	524288 words
字数代码：	512000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	512KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	DFP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLATPACK	并行/串行：	PARALLEL
编程电压：	3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	6.2484 mm	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子形式：	FLAT
端子节距：	1.016 mm	端子位置：	DUAL
总剂量：	40k Rad(Si) V	宽度：	21.59 mm
最长写入周期时间 (tWC)：	15 ms	Base Number Matches：	1

79LV0408RT4FK-25 数据手册

79LV0408

Low Voltage 4 Megabit

(512k x 8-bit) EEPROM

RES

R/ B

A_0-16

128Kx 8

I/O

0-7

Logic Diagram

FEATURES:

DESCRIPTION:

• Four 128k x 8-bit EEPROMs MCM

• R^AD-PAK® radiation-hardened against natural

space radiation

Maxwell Technologies’ 79LV0408 multi-chip module (MCM)

memory features a greater than 100 krad (Si) total dose toler-

ance, depending upon space mission. Using Maxwell Technol-

ogies’ patented radiation-hardened R^AD-PAK® MCM

packaging technology, the 79LV0408 is the first radiation-

hardened 4 Megabit MCM EEPROM for space applications.

The 79LV0408 uses four 1 Megabit high-speed CMOS die to

yield a 4 Megabit product. The 79LV0408 is capable of in-sys-

tem electrical Byte and Page programmability. It has a 128

bytes Page Programming function to make its erase and write

operations faster. It also features Data Polling and a Ready/

Busy signal to indicate the completion of erase and program-

ming operations. In the 79LV0408, hardware data protection is

provided with the RES pin, in addition to noise protection on

the WE signal. Software data protection is implemented using

the JEDEC optional standard algorithm.

• Total dose hardness:

- > 100 krad (Si), depending upon space mission

• Excellent Single Event Effects

- SEL > 120 MeV/mg/cm²

- SEU > 90 MeV/mg/cm²read mode

- SEU = 18 MeV/mg/cm²write mode

• Package:

• - 40 pin R^AD-PAK® flat pack

• - 40 pin X-Ray Pak^TMflat pack

• - 40 pin Rad-Tolerant flat pack

• High speed:

-200 and 250 ns access times

available

• Data Polling and Ready/Busy signal

• Software data protection

• Write protection by RES pin

• High endurance

- 10,000 erase/write (in Page Mode),

- 10 year data retention

• Page write mode: 1 to 128 byte page

• Low power dissipation

Maxwell Technologies' patented R^AD-PAK® packaging technol-

ogy incorporates radiation shielding in the microcircuit pack-

age. It eliminates the need for box shielding while providing

the required radiation shielding for a lifetime in orbit or space

mission. In a GEO orbit, the R^AD-PAK® package provides

greater than 100 krad (Si) radiation dose tolerance. This prod-

uct is available with screening up to Maxwell Technologies

self-defined Class K.

- 88 mW/MHz active mode

- 440 µW standby mode

01.11.05 Rev 7

All data sheets are subject to change without notice

(858) 503-3300 - Fax: (858) 503-3301- www.maxwell.com

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