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79C2040RPFI-15

更新时间： 2024-02-29 16:27:15
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麦斯威 - MAXWELL 存储内存集成电路光电二极管可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
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17页 470K
描述
20 Megabit (512K x 40-Bit) EEPROM MCM

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79C2040RPFI-15 技术参数

生命周期：Transferred零件包装代码：DFP
包装说明：DFP, FL100,.9,25针数：100
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A001.A.2.C
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.4
Is Samacsys：N最长访问时间：150 ns
数据轮询：YESJESD-30 代码：R-PDFP-F100
长度：34.6964 mm内存密度：20971520 bit
内存集成电路类型：EEPROM内存宽度：40
功能数量：1端子数量：100
字数：524288 words字数代码：512000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-55 °C组织：512KX40
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：DFP
封装等效代码：FL100,.9,25封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLATPACK页面大小：128 words
并行/串行：PARALLEL电源：5 V
编程电压：5 V认证状态：Not Qualified
就绪/忙碌：YES座面最大高度：12.7 mm
最大待机电流：0.00064 A子类别：EEPROMs
最大压摆率：0.25 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：MILITARY端子形式：FLAT
端子节距：0.635 mm端子位置：DUAL
切换位：NO总剂量：100k Rad(Si) V
宽度：22.7838 mm最长写入周期时间 (tWC)：10 ms
写保护：HARDWARE/SOFTWAREBase Number Matches：1

79C2040RPFI-15 数据手册

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79C2040  
20 Megabit (512K x 40-Bit)  
EEPROM MCM  
Logic Diagram  
FEATURES:  
DESCRIPTION:  
Maxwell Technologies’ 79C2040 multi-chip module (MCM)  
memory features a greater than 100 krad (Si) total dose toler-  
ance, dependent upon orbit. Using Maxwell Technologies’ pat-  
ented radiation-hardened RAD-PAK® MCM packaging  
technology, the 79C2040 is the first radiation-hardened 20  
megabit MCM EEPROM for space application. The 79C2040  
uses twenty 1 Megabit high speed CMOS die to yield a 20  
megabit product. The 79C2040 is capable of in-system electri-  
cal byte and page programmability. It has a 128 word page  
programming function to make the erase and write operations  
faster. It also features Data Polling and a Ready/Busy signal to  
indicate the completion of erase and programming operations.  
In the 79C2040, hardware data protection is provided with the  
RES pin, in addition to noise protection on the WE signal and  
write inhibit on power on and off. Software data protection is  
implemented using the JEDEC optional standard algorithm.  
512k x 40-bit EEPROM MCM  
• RAD-PAK® radiation-hardened against natural  
• space radiation  
• Total dose hardness:  
- >100 krad (Si)  
- Dependent upon orbit  
• Excellent Single event effects  
- SEL > 120 MeV/mg/cm2  
TH  
- SEU > 90 MeV/mg/cm2 read mode  
- SEU = 18 MeV/mg/cm2 write mode  
• High endurance  
- 10,000 cycles/byte (Page Programming Mode)  
- 10 year data retention  
• Page Write Mode: 128 Dword Page  
• High Speed:  
- 150 and 200 ns maximum access times  
• Automatic programming  
- 10 ms automatic Page/Dword write  
• Low power dissipation  
Maxwell Technologies' patented RAD-PAK® packaging technol-  
ogy incorporates radiation shielding in the microcircuit pack-  
age. It eliminates the need for box shielding while providing  
the required radiation shielding for a lifetime in orbit or space  
mission. In a GEO orbit, RAD-PAK provides greater than 100  
krad (Si) radiation dose tolerance. This product is available  
with screening up to Maxwell Technologies self-defined Class  
K
- 375 mW/MHz active current  
-3. 2 mW standby current  
04.20.05Rev 1  
1
All data sheets are subject to change without notice  
(858) 503-3300 - Fax: (858) 503-3301 - www.maxwell.com  
©2005 Maxwell Technologies  
All rights reserved.  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
79C2040RPFI-20 MAXWELL

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 		20 Megabit (512K x 40-Bit) EEPROM MCM
79C2040RPFK-15 MAXWELL

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 		20 Megabit (512K x 40-Bit) EEPROM MCM
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