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74VHCT08AMTR PDF预览

74VHCT08AMTR

更新时间： 2024-02-03 12:20:24
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 栅极触发器逻辑集成电路光电二极管输入元件
页数 文件大小 规格书
11页 221K
描述
QUAD 2-INPUT AND GATE

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74VHCT08AMTR 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DIP包装说明：PLASTIC, DIP-14
针数：14Reach Compliance Code：compliant
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：5.27
Is Samacsys：N系列：AHCT/VHCT
JESD-30 代码：R-PDIP-T14JESD-609代码：e0
长度：19.18 mm负载电容（CL）：50 pF
逻辑集成电路类型：AND GATE最大I（ol）：0.008 A
功能数量：4输入次数：2
端子数量：14最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：DIP封装等效代码：DIP14,.3
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：5 V
Prop。Delay @ Nom-Sup：9 ns传播延迟（tpd）：9 ns
认证状态：Not Qualified施密特触发器：NO
座面最大高度：5.08 mm子类别：Gates
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：NO
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子节距：2.54 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：7.62 mm
Base Number Matches：1

74VHCT08AMTR 数据手册

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74VHCT08A  
QUAD 2-INPUT AND GATE  
■
■
HIGH SPEED: t = 4.7 ns (TYP.) at V = 5V  
PD CC  
LOW POWER DISSIPATION:  
I
= 2 µA (MAX.) at T =25°C  
CC  
A
■
■
■
■
■
■
COMPATIBLE WITH TTL OUTPUTS:  
= 2V (MIN.), V = 0.8V (MAX)  
POWER DOWN PROTECTION ON INPUTS  
& OUTPUTS  
V
IH  
IL  
SOP  
TSSOP  
SYMMETRICAL OUTPUT IMPEDANCE:  
|I | = I = 8 mA (MIN)  
OH  
OL  
Table 1: Order Codes  
PACKAGE  
BALANCED PROPAGATION DELAYS:  
t
t
PLH  
PHL  
T & R  
OPERATING VOLTAGE RANGE:  
(OPR) = 4.5V to 5.5V  
SOP  
74VHCT08AMTR  
74VHCT08ATTR  
V
CC  
TSSOP  
PIN AND FUNCTION COMPATIBLE WITH  
74 SERIES 08  
■
■
IMPROVED LATCH-UP IMMUNITY  
Power down protection is provided on all inputs  
and outputs and 0 to 7V can be accepted on  
inputs with no regard to the supply voltage. This  
device can be used to interface 5V to 3V since all  
inputs are equipped with TTL threshold.  
All inputs and outputs are equipped with  
protection circuits against static discharge, giving  
them 2KV ESD immunity and transient excess  
voltage.  
LOW NOISE: V  
= 0.8V (MAX.)  
OLP  
DESCRIPTION  
The 74VHCT08A is an advanced high-speed  
CMOS QUAD 2-INPUT AND GATE fabricated  
with sub-micron silicon gate and double-layer  
2
metal wiring C MOS technology.  
The internal circuit is composed of 2 stages  
including buffer output, which provides high noise  
immunity and stable output.  
Figure 1: Pin Connection And IEC Logic Symbols  
Rev. 4  
1/11  
December 2004  
1234567...11

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