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74VHC04TTR PDF预览

74VHC04TTR

更新时间： 2024-11-04 04:48:03
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 栅极触发器逻辑集成电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
11页 226K
描述
HEX INVERTER

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74VHC04TTR 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TSSOP
包装说明：TSSOP, TSSOP14,.25针数：14
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8542.39.00.01
风险等级：5.1Is Samacsys：N
系列：AHC/VHC/H/U/VJESD-30 代码：R-PDSO-G14
JESD-609代码：e4长度：5 mm
负载电容（CL）：50 pF逻辑集成电路类型：INVERTER
最大I（ol）：0.008 A功能数量：6
输入次数：1端子数量：14
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSSOP
封装等效代码：TSSOP14,.25封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH包装方法：TAPE AND REEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：2/5.5 V
Prop。Delay @ Nom-Sup：8.5 ns传播延迟（tpd）：13 ns
认证状态：Not Qualified施密特触发器：NO
座面最大高度：1.2 mm子类别：Gates
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：2 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：MILITARY
端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)端子形式：GULL WING
端子节距：0.65 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：4.4 mm
Base Number Matches：1

74VHC04TTR 数据手册

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74VHC04  
HEX INVERTER  
■
■
HIGH SPEED: t = 3.8ns (TYP.) at V = 5V  
PD CC  
LOW POWER DISSIPATION:  
I
= 2 µA (MAX.) at T =25°C  
CC  
A
■
HIGH NOISE IMMUNITY:  
= V = 28% V (MIN.)  
V
NIH  
NIL  
CC  
■
■
POWER DOWN PROTECTION ON INPUTS  
SYMMETRICAL OUTPUT IMPEDANCE:  
SOP  
TSSOP  
T & R  
|I | = I = 8 mA (MIN)  
OH  
OL  
■
■
■
BALANCED PROPAGATION DELAYS:  
Table 1: Order Codes  
PACKAGE  
t
t
PLH  
PHL  
OPERATING VOLTAGE RANGE:  
(OPR) = 2V to 5.5V  
V
CC  
SOP  
74VHC04MTR  
74VHC04TTR  
PIN AND FUNCTION COMPATIBLE WITH  
74 SERIES 04  
TSSOP  
■
■
IMPROVED LATCH-UP IMMUNITY  
LOW NOISE: V  
= 0.8V (MAX.)  
Power down protection is provided on all inputs  
and 0 to 7V can be accepted on inputs with no  
regard to the supply voltage. This device can be  
used to interface 5V to 3V.  
All inputs and outputs are equipped with  
protection circuits against static discharge, giving  
them 2KV ESD immunity and transient excess  
voltage.  
OLP  
DESCRIPTION  
The 74VHC04 is an advanced high-speed CMOS  
HEX INVERTER fabricated with sub-micron  
silicon gate and double-layer metal wiring C MOS  
technology.  
The internal circuit is composed of 3 stages  
including buffer output, which provides high noise  
immunity and stable output.  
2
Figure 1: Pin Connection And IEC Logic Symbols  
Rev. 5  
1/11  
November 2004  
1234567...11

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74VHC04TTR 替代型号

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