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74VHC02MTR PDF预览

74VHC02MTR

更新时间： 2024-09-30 22:49:51
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 栅极触发器逻辑集成电路光电二极管输入元件
页数 文件大小 规格书
8页 158K
描述
QUAD 2-INPUT NOR GATE

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74VHC02MTR 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOIC
包装说明：SOP, SOP14,.25针数：14
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8542.39.00.01
Factory Lead Time：16 weeks风险等级：5.22
Is Samacsys：N系列：AHC/VHC/H/U/V
JESD-30 代码：R-PDSO-G14JESD-609代码：e4
长度：8.65 mm负载电容（CL）：50 pF
逻辑集成电路类型：NOR GATE最大I（ol）：0.008 A
湿度敏感等级：1功能数量：4
输入次数：2端子数量：14
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOP
封装等效代码：SOP14,.25封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE包装方法：TAPE AND REEL
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：2/5.5 V
Prop。Delay @ Nom-Sup：8.5 ns传播延迟（tpd）：13 ns
认证状态：Not Qualified施密特触发器：NO
座面最大高度：1.75 mm子类别：Gates
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：2 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：MILITARY
端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)端子形式：GULL WING
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30宽度：3.9 mm
Base Number Matches：1

74VHC02MTR 数据手册

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74VHC02  
QUAD 2-INPUT NOR GATE  
■
■
HIGH SPEED: t = 3.6ns (TYP.) at V = 5V  
PD CC  
LOW POWER DISSIPATION:  
I
= 2 µA (MAX.) at T =25°C  
CC  
A
■
HIGH NOISE IMMUNITY:  
= V = 28% V (MIN.)  
V
NIH  
NIL  
CC  
■
■
POWER DOWN PROTECTION ON INPUTS  
SYMMETRICAL OUTPUT IMPEDANCE:  
SOP  
TSSOP  
|I | = I = 8mA (MIN)  
OH  
OL  
■
■
■
BALANCED PROPAGATION DELAYS:  
t
t
ORDER CODES  
PACKAGE  
PLH  
PHL  
OPERATING VOLTAGE RANGE:  
(OPR) = 2V to 5.5V  
TUBE  
T & R  
V
CC  
SOP  
74VHC02M  
74VHC02MTR  
74VHC02TTR  
PIN AND FUNCTION COMPATIBLE WITH  
74 SERIES 02  
TSSOP  
■
■
IMPROVED LATCH-UP IMMUNITY  
LOW NOISE: V  
= 0.8V (MAX.)  
Power down protection is provided on all inputs  
and 0 to 7V can be accepted on inputs with no  
regard to the supply voltage. This device can be  
used to interface 5V to 3V.  
All inputs and outputs are equipped with  
protection circuits against static discharge, giving  
them 2KV ESD immunity and transient excess  
voltage.  
OLP  
DESCRIPTION  
The 74VHC02 is an advanced high-speed CMOS  
QUAD 2-INPUT NOR GATE fabricated with  
sub-micron silicon gate and double-layer metal  
2
wiring C MOS technology.  
The internal circuit is composed of 3 stages  
including buffer output, which provides high noise  
immunity and stable output.  
PIN CONNECTION AND IEC LOGIC SYMBOLS  
June 2001  
1/8  
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