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74V1T07C

更新时间： 2024-11-03 22:16:47

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		栅极触发器逻辑集成电路光电二极管
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7页	50K
描述
SINGLE BUFFER OPEN DRAIN

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74V1T07C 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	SC-70, 5 PIN	针数：	5
Reach Compliance Code：	not_compliant	HTS代码：	8542.39.00.01
风险等级：	5.71	Is Samacsys：	N
系列：	74V	JESD-30 代码：	R-PDSO-G5
JESD-609代码：	e0	长度：	2 mm
负载电容（CL）：	50 pF	逻辑集成电路类型：	BUFFER
最大I（ol）：	0.008 A	功能数量：	1
输入次数：	1	端子数量：	5
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
输出特性：	OPEN-DRAIN	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSSOP	封装等效代码：	TSSOP6,.08
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
Prop。Delay @ Nom-Sup：	7.1 ns	传播延迟（tpd）：	10 ns
认证状态：	Not Qualified	施密特触发器：	NO
座面最大高度：	1.1 mm	子类别：	Gates
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.65 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	1.25 mm
Base Number Matches：	1

74V1T07C 数据手册

74V1T07

SINGLE BUFFER (OPEN DRAIN)

■

HIGH SPEED:t_PD=4.7ns (TYP.) atV_CC= 5V

LOW POWER DISSIPATION:

_CC=1 µA (MAX.) at T_A=25 ^oC

■

COMPATIBLEWITH TTL OUTPUTS:

V_IH=2V (MIN), V_IL= 0.8V(MAX)

■

POWERDOWN PROTECTIONON INPUT

OPERATING VOLTAGERANGE:

(SOT23-5L)

(SC-70)

ORDER CODE:

V_CC(OPR)= 4.5V to 5.5V

74V1T07S

74V1T07C

■

IMPROVED LATCH-UP IMMUNITY

Power down protection is provided on input and 0

to 7V can be accepted on input with no regard to

the supply voltage. This device can be used to

interface5V to 3V.

DESCRIPTION

The 74V1T07 is an advanced high-speed CMOS

SINGLE BUFFER (OPEN DRAIN) fabricated with

sub-micron silicon gate and double-layer metal

wiring C²MOS technology.

The internal circuit is composed of 2 stages

including buffer output, which provide high noise

immunity and stable output.

PIN CONNECTION AND IEC LOGIC SYMBOLS

1/7

October 1999

12 3 4 5 6 7

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