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74V1G86C

更新时间： 2024-11-03 22:45:59

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		/
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7页	53K
描述
SINGLE EXCLUSIVE OR GATE

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74V1G86C 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	TSSOP, TSSOP6,.08	针数：	5
Reach Compliance Code：	not_compliant	HTS代码：	8542.39.00.01
风险等级：	5.29	系列：	74V
JESD-30 代码：	R-PDSO-G5	JESD-609代码：	e0
长度：	2 mm	负载电容（CL）：	50 pF
逻辑集成电路类型：	XOR GATE	最大I（ol）：	0.004 A
功能数量：	1	输入次数：	2
端子数量：	5	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSSOP	封装等效代码：	TSSOP6,.08
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	2/5.5 V
Prop。Delay @ Nom-Sup：	16.5 ns	传播延迟（tpd）：	13.5 ns
认证状态：	Not Qualified	施密特触发器：	NO
座面最大高度：	1.1 mm	子类别：	Gates
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	2 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.65 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	1.25 mm
Base Number Matches：	1

74V1G86C 数据手册

74V1G86

SINGLE EXCLUSIVE OR GATE

■

HIGH SPEED:t_PD=4.8ns (TYP.) atV_CC= 5V

LOW POWER DISSIPATION:

I_CC=1 µA (MAX.) at T_A=25 ^oC

HIGH NOISEIMMUNITY:

■

V_NIH= V_NIL=28% V_CC(MIN.)

■

POWERDOWN PROTECTIONON INPUTS

SYMMETRICAL OUTPUT IMPEDANCE:

|I_OH| = I_OL= 8 mA (MIN)

BALANCEDPROPAGATIONDELAYS:

t_PLHt_PHL

(SOT23-5L)

(SC-70)

ORDER CODE:

74V1G86S

74V1G86C

■

Power down protection is provided on all inputs

and 0 to 7V can be accepted on inputs with no

regard to the supply voltage. This device can be

used to interface5V to 3V.

OPERATING VOLTAGERANGE:

V_CC(OPR)= 2V to 5.5V

IMPROVED LATCH-UP IMMUNITY

DESCRIPTION

The 74V1G86 is an advanced high-speed CMOS

SINGLE EXCLUSIVE OR GATE fabricated with

sub-micron silicon gate and double-layer metal

wiring C²MOS technology.

PIN CONNECTION AND IEC LOGIC SYMBOLS

1/7

October 1999

12 3 4 5 6 7

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