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Datasheet > 逻辑 > 总线驱动器/收发器> 74V1G70S
74V1G70S PDF预览

74V1G70S

更新时间： 2024-11-03 22:45:59
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 栅极触发器逻辑集成电路光电二极管
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7页 51K
描述
SINGLE BUFFER

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74V1G70S 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT-23
包装说明：SOT-23, 5 PIN针数：5
Reach Compliance Code：not_compliantHTS代码：8542.39.00.01
风险等级：5.91Is Samacsys：N
系列：74VJESD-30 代码：R-PDSO-G5
JESD-609代码：e0长度：2.9 mm
负载电容（CL）：50 pF逻辑集成电路类型：BUFFER
最大I（ol）：0.004 A功能数量：1
输入次数：1端子数量：5
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：LSSOP
封装等效代码：TSOP5/6,.11,37封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：2/5.5 VProp。Delay @ Nom-Sup：9.2 ns
传播延迟（tpd）：9.2 ns认证状态：Not Qualified
施密特触发器：NO座面最大高度：1.45 mm
子类别：Gates最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：2 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子节距：0.95 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：1.625 mmBase Number Matches：1

74V1G70S 数据手册

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74V1G70  
SINGLE BUFFER  
■
■
HIGH SPEED:tPD =4.3ns (TYP.) atVCC = 5V  
LOW POWER DISSIPATION:  
I
CC =1 µA (MAX.) at TA =25 oC  
■
HIGH NOISEIMMUNITY:  
NIH = VNIL =28% VCC (MIN.)  
V
S
C
■
■
POWERDOWN PROTECTIONON INPUTS  
SYMMETRICAL OUTPUT IMPEDANCE:  
|IOH| = IOL = 8 mA (MIN)  
BALANCEDPROPAGATIONDELAYS:  
tPLH tPHL  
OPERATING VOLTAGERANGE:  
VCC (OPR)= 2V to 5.5V  
IMPROVED LATCH-UP IMMUNITY  
(SOT23-5L)  
(SC-70)  
ORDER CODE:  
74V1G70S 74V1G70C  
■
■
■
The internal circuit is composed of 2 stages  
including buffer output, which provide high noise  
immunity and stable output.  
Power down protection is provided on all inputs  
and 0 to 7V can be accepted on inputs with no  
regard to the supply voltage. This device can be  
used to interface5V to 3V.  
DESCRIPTION  
The 74V1G70 is an advanced high-speed CMOS  
SINGLE BUFFER fabricated with sub-micron  
silicon gate and double-layermetal wiring C2MOS  
technology.  
PIN CONNECTION AND IEC LOGIC SYMBOLS  
1/7  
October 1999  
1234567

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74V1G70S 替代型号

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