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74V1G00C

更新时间： 2024-09-14 22:09:47

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		触发器逻辑集成电路光电二极管输入元件栅
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描述
SINGLE 2-INPUT NAND GATE

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74V1G00C 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	SC-70, 5 PIN	针数：	5
Reach Compliance Code：	not_compliant	HTS代码：	8542.39.00.01
风险等级：	5.33	Is Samacsys：	N
系列：	74V	JESD-30 代码：	R-PDSO-G5
JESD-609代码：	e0	长度：	2 mm
负载电容（CL）：	50 pF	逻辑集成电路类型：	NAND GATE
最大I（ol）：	0.004 A	功能数量：	1
输入次数：	2	端子数量：	5
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSSOP
封装等效代码：	TSSOP6,.08	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	2/5.5 V	Prop。Delay @ Nom-Sup：	13 ns
传播延迟（tpd）：	11.5 ns	认证状态：	Not Qualified
施密特触发器：	NO	座面最大高度：	1.1 mm
子类别：	Gates	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	2 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.65 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	1.25 mm	Base Number Matches：	1

74V1G00C 数据手册

74V1G00

SINGLE 2-INPUT NAND GATE

■

HIGH SPEED:t_PD=3.7ns (TYP.) atV_CC= 5V

LOW POWER DISSIPATION:

_CC=1 µA (MAX.) at T_A=25 ^oC

■

HIGH NOISEIMMUNITY:

_NIH= V_NIL=28% V_CC(MIN.)

■

POWERDOWN PROTECTIONON INPUTS

SYMMETRICAL OUTPUT IMPEDANCE:

|I_OH| = I_OL= 8 mA (MIN)

BALANCEDPROPAGATIONDELAYS:

t_PLHt_PHL

OPERATING VOLTAGERANGE:

V_CC(OPR)= 2V to 5.5V

IMPROVED LATCH-UP IMMUNITY

(SOT23-5L)

(SC-70)

ORDER CODE:

74V1G00S

74V1G00C

■

The internal circuit is composed of 3 stages

including buffer output, which provide high noise

immunity and stable output.

Power down protection is provided on all inputs

and 0 to 7V can be accepted on inputs with no

regard to the supply voltage. This device can be

used to interface5V to 3V.

DESCRIPTION

The 74V1G00 is an advanced high-speed CMOS

SINGLE 2-INPUT NAND GATE fabricated with

sub-micron silicon gate and double-layer metal

wiring C²MOS technology.

PIN CONNECTION AND IEC LOGIC SYMBOLS

1/7

October 1999

12 3 4 5 6 7

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