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74LVC1G38GF

更新时间： 2024-11-17 05:05:51

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恩智浦 - NXP		栅极逻辑集成电路光电二极管
页数	文件大小	规格书
15页	85K
描述
2-input NAND gate; open drain

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74LVC1G38GF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	SON	包装说明：	VSON, SOLCC6,.04,14
针数：	6	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8542.39.00.01	风险等级：	5.41
系列：	LVC/LCX/Z	JESD-30 代码：	S-PDSO-N6
JESD-609代码：	e3	长度：	1 mm
负载电容（CL）：	50 pF	逻辑集成电路类型：	NAND GATE
最大I（ol）：	0.024 A	湿度敏感等级：	1
功能数量：	1	输入次数：	2
端子数量：	6	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	输出特性：	OPEN-DRAIN
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	VSON
封装等效代码：	SOLCC6,.04,14	封装形状：	SQUARE
封装形式：	SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE	包装方法：	TAPE AND REEL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	3.3 V
Prop。Delay @ Nom-Sup：	5.7 ns	传播延迟（tpd）：	12.5 ns
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	0.5 mm
子类别：	Gates	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.65 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	AUTOMOTIVE	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	0.35 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
宽度：	1 mm	Base Number Matches：	1

74LVC1G38GF 数据手册

74LVC1G38

2-input NAND gate; open drain

Rev. 03 — 27 August 2007

Product data sheet

1. General description

The 74LVC1G38 provides a 2-input NAND function.

Inputs can be driven from either 3.3 V or 5 V devices. This feature allows the use of this

device as translator in a mixed 3.3 V and 5 V environment.

This device is fully speciﬁed for partial power-down applications using I_OFF. The I_OFF

circuitry disables the output, preventing the damaging backﬂow current through the device

when it is powered down.

2. Features

I Wide supply voltage range from 1.65 V to 5.5 V

I 5 V tolerant outputs for interfacing with 5 V logic

I High noise immunity

I Complies with JEDEC standard:

N JESD8-7 (1.65 V to 1.95 V)

N JESD8-5 (2.3 V to 2.7 V)

N JESD8-B/JESD36 (2.7 V to 3.6 V).

I ESD protection:

N HBM JESD22-A114E exceeds 2000 V

N MM JESD22-A115-A exceeds 200 V

I ±24 mA output drive (V_CC= 3.0 V)

I CMOS low power consumption

I Open drain outputs

I Latch-up performance exceeds 250 mA

I Direct interface with TTL levels

I Inputs accept voltages up to 5 V

I Multiple package options

I Speciﬁed from −40 °C to +125 °C.

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
74LVC1G38GM	NEXPERIA	功能相似	2-input NAND gate; open drainProduction

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74LVC1G38GM	NEXPERIA	获取价格	2-input NAND gate; open drainProduction
74LVC1G38GN	NEXPERIA	获取价格	2-input NAND gate; open drainProduction
74LVC1G38GS	NEXPERIA	获取价格	2-input NAND gate; open drainProduction
74LVC1G38GV	NXP	获取价格	2-input NAND gate; open drain
74LVC1G38GV	NEXPERIA	获取价格	2-input NAND gate; open drainProduction
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74LVC1G38GW	NXP	获取价格	2-input NAND gate; open drain
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