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74LVC1G386GW

更新时间： 2024-11-16 21:55:11

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74LVC1G386GW 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	SOT-363
包装说明：	PLASTIC, SC-88, SOT-363, 6 PIN	针数：	6
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8542.39.00.01
风险等级：	5.35	系列：	LVC/LCX/Z
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	JESD-609代码：	e3
长度：	2 mm	负载电容（CL）：	50 pF
逻辑集成电路类型：	XOR GATE	最大I（ol）：	0.024 A
湿度敏感等级：	1	功能数量：	1
输入次数：	3	端子数量：	6
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSSOP
封装等效代码：	TSSOP6,.08	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	包装方法：	TAPE AND REEL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	3.3 V
Prop。Delay @ Nom-Sup：	9.5 ns	传播延迟（tpd）：	22 ns
认证状态：	Not Qualified	施密特触发器：	NO
座面最大高度：	1.1 mm	子类别：	Gates
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.65 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.7 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	AUTOMOTIVE
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.65 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	宽度：	1.25 mm
Base Number Matches：	1

INTEGRATED CIRCUITS

DATA SHEET

74LVC1G386

3-input EXCLUSIVE-OR gate

Product speciﬁcation

2003 Nov 04

12 3 4 5 6 7...15

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
74LVC1G386GW,125	NXP	获取价格	74LVC1G386 - 3-input EXCLUSIVE-OR gate TSSOP 6-Pin
74LVC1G386GW-Q100	NEXPERIA	获取价格	3-input EXCLUSIVE-OR gateProduction
74LVC1G38GF	NXP	获取价格	2-input NAND gate; open drain
74LVC1G38GF,132	NXP	获取价格	74LVC1G38 - 2-input NAND gate; open drain SON 6-Pin
74LVC1G38GM	NXP	获取价格	2-input NAND gate; open drain
74LVC1G38GM	NEXPERIA	获取价格	2-input NAND gate; open drainProduction
74LVC1G38GN	NEXPERIA	获取价格	2-input NAND gate; open drainProduction
74LVC1G38GS	NEXPERIA	获取价格	2-input NAND gate; open drainProduction
74LVC1G38GV	NXP	获取价格	2-input NAND gate; open drain
74LVC1G38GV	NEXPERIA	获取价格	2-input NAND gate; open drainProduction