是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | TSSOP, | Reach Compliance Code: | compliant |
HTS代码: | 8542.39.00.01 | 风险等级: | 5.45 |
系列: | LVC/LCX/Z | JESD-30 代码: | R-PDSO-G6 |
JESD-609代码: | e3 | 长度: | 2 mm |
逻辑集成电路类型: | XOR GATE | 湿度敏感等级: | 1 |
功能数量: | 1 | 输入次数: | 3 |
端子数量: | 6 | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TSSOP | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
传播延迟(tpd): | 22 ns | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.1 mm | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 1.65 V | 标称供电电压 (Vsup): | 2.7 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | AUTOMOTIVE | 端子面层: | Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.65 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
宽度: | 1.25 mm |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
74LVC1G386GW,125 | NXP |
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74LVC1G386 - 3-input EXCLUSIVE-OR gate TSSOP 6-Pin | |
74LVC1G386GW-Q100 | NEXPERIA |
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3-input EXCLUSIVE-OR gateProduction | |
74LVC1G38GF | NXP |
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2-input NAND gate; open drain | |
74LVC1G38GF,132 | NXP |
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74LVC1G38 - 2-input NAND gate; open drain SON 6-Pin | |
74LVC1G38GM | NXP |
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2-input NAND gate; open drain | |
74LVC1G38GM | NEXPERIA |
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2-input NAND gate; open drainProduction | |
74LVC1G38GN | NEXPERIA |
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2-input NAND gate; open drainProduction | |
74LVC1G38GS | NEXPERIA |
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2-input NAND gate; open drainProduction | |
74LVC1G38GV | NXP |
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2-input NAND gate; open drain | |
74LVC1G38GV | NEXPERIA |
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2-input NAND gate; open drainProduction |