Datasheet > 逻辑 > 栅极> 74LVC1G11GW

74LVC1G11GW

更新时间： 2024-11-19 22:00:55

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		栅极逻辑集成电路光电二极管
页数	文件大小	规格书
14页	70K
描述
Single 3-input AND gate

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

74LVC1G11GW 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	SOT-363
包装说明：	PLASTIC, SOT-363, SC-88, 6 PIN	针数：	6
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.39.00.01	风险等级：	5.11
系列：	LVC/LCX/Z	JESD-30 代码：	R-PDSO-G6
JESD-609代码：	e3	长度：	2 mm
负载电容（CL）：	50 pF	逻辑集成电路类型：	AND GATE
最大I（ol）：	0.024 A	湿度敏感等级：	1
功能数量：	1	输入次数：	3
端子数量：	6	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSSOP	封装等效代码：	TSSOP6,.08
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
包装方法：	TAPE AND REEL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	3.3 V	Prop。Delay @ Nom-Sup：	6.2 ns
传播延迟（tpd）：	21.5 ns	认证状态：	Not Qualified
施密特触发器：	NO	座面最大高度：	1.1 mm
子类别：	Gates	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.65 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	AUTOMOTIVE	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.65 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
宽度：	1.25 mm	Base Number Matches：	1

74LVC1G11GW 数据手册

74LVC1G11

Single 3-input AND gate

Rev. 01 — 30 November 2004

Product data sheet

1. General description

The 74LVC1G11 is a high-performance, low-voltage, Si-gate CMOS device and superior

to most advanced CMOS compatible TTL families.

The input can be driven from either 3.3 V or 5 V devices. This feature allows the use of

this device in a mixed 3.3 V and 5 V environment.

This device is fully speciﬁed for partial power-down applications using I_off. The I_offcircuitry

disables the output, preventing the damaging backﬂow current through the device when

it is powered down.

Schmitt-trigger action at all inputs makes the circuit highly tolerant to slower input rise and

fall times.

The 74LVC1G11 provides a single 3-input AND gate.

2. Features

■ Wide supply voltage range from 1.65 V to 5.5 V

■ 5 V tolerant inputs for interfacing with 5 V logic

■ High noise immunity

■ Complies with JEDEC standard:

◆ JESD8-7 (1.65 V to 1.95 V)

◆ JESD8-5 (2.3 V to 2.7 V)

◆ JESD8-B/JESD36 (2.7 V to 3.6 V).

■ ±24 mA output drive (V_CC= 3.0 V)

■ ESD protection:

◆ HBM EIA/JESD22-A114-B exceeds 2000 V

◆ MM EIA/JESD22-A115-A exceeds 200 V.

■ CMOS low power consumption

■ Latch-up performance exceeds 250 mA

■ Direct interface with TTL levels

■ Multiple package options

■ Speciﬁed from −40 °C to +85 °C and −40 °C to +125 °C.

12 3 4 5 6 7...14

中文翻译

下载PDF

74LVC1G11GW 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
74LVC1G11DW-7	DIODES	功能相似	SINGLE 3 INPUT POSITIVE AND GATE

与74LVC1G11GW相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
74LVC1G11GW,125	NXP	获取价格	74LVC1G11 - Single 3-input AND gate TSSOP 6-Pin
74LVC1G11GWG	NXP	获取价格	LVC/LCX/Z SERIES, 3-INPUT AND GATE, PDSO6
74LVC1G11GW-Q100	NEXPERIA	获取价格	Single 3-input AND gate
74LVC1G11GW-Q100,125	NXP	获取价格	AND Gate, LVC/LCX/Z Series, 1-Func, 3-Input, CMOS, PDSO6
74LVC1G11GX	NEXPERIA	获取价格	Single 3-input AND gateProduction
74LVC1G11-Q100	NEXPERIA	获取价格	Single 3-input AND gate
74LVC1G11W6	DIODES	获取价格	SINGLE 3 INPUT POSITIVE AND GATE
74LVC1G11W6-7	DIODES	获取价格	SINGLE 3 INPUT POSITIVE AND GATE
74LVC1G123	NXP	获取价格	Single retriggerable monostable multivibrator
74LVC1G123DC	NXP	获取价格	Single retriggerable monostable multivibrator

与74LVC1G11GW相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

24
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

16
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

48
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

46

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

74LVC1G11GW

74LVC1G11GW 技术参数

74LVC1G11GW 数据手册

74LVC1G11GW 替代型号

与74LVC1G11GW相关器件

与74LVC1G11GW相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

74LVC1G11GW

74LVC1G11GW 技术参数

74LVC1G11GW 数据手册

74LVC1G11GW 替代型号

与74LVC1G11GW相关器件

与74LVC1G11GW相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？