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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DFN |
| 包装说明： | 1 X 1 MM, ROHS COMPLIANT, DFN-6 | 针数： | 6 |
| Reach Compliance Code： | compliant | HTS代码： | 8542.39.00.01 |
| Factory Lead Time： | 18 weeks | 风险等级： | 1.19 |
| Is Samacsys： | N | 系列： | LVC/LCX/Z |
| JESD-30 代码： | S-PDSO-N6 | JESD-609代码： | e4 |
| 长度： | 1 mm | 负载电容（CL）： | 50 pF |
| 逻辑集成电路类型： | NAND GATE | 最大I（ol）： | 0.024 A |
| 湿度敏感等级： | 1 | 功能数量： | 1 |
| 输入次数： | 3 | 端子数量： | 6 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 输出特性： | TOTEM POLE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | VSON | 封装等效代码： | SOLCC6,.04,14 |
| 封装形状： | SQUARE | 封装形式： | SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE |
| 包装方法： | TAPE AND REEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 电源： | 3.3 V | Prop。Delay @ Nom-Sup： | 6 ns |
| 传播延迟（tpd）： | 21.6 ns | 认证状态： | Not Qualified |
| 施密特触发器： | NO | 座面最大高度： | 0.4 mm |
| 子类别： | Gates | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 1.65 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | AUTOMOTIVE | 端子面层： | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子节距： | 0.35 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 宽度： | 1 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 74LVC1G10FZ4-7 | DIODES | SINGLE 3 INPUT POSITIVE NAND GATE |
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| 74LVC1G10GF | NXP | Single 3-input NAND gate |
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| 74LVC1G10GM | NXP | Single 3-input NAND gate |
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| 74LVC1G10GM | NEXPERIA | Single 3-input NAND gateProduction |
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| 74LVC1G10GM,115 | NXP | 74LVC1G10 - Single 3-input NAND gate SON 6-Pin |
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| 74LVC1G10GN | NEXPERIA | Single 3-input NAND gateProduction |
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