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74HCT3G34DC

更新时间: 2024-11-10 21:55:11
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 栅极逻辑集成电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
16页 83K
描述
Triple Buffer Gate

74HCT3G34DC 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred零件包装代码:TSSOP
包装说明:VSSOP,针数:8
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.39.00.01风险等级:5.48
Is Samacsys:N系列:HCT
JESD-30 代码:R-PDSO-G8JESD-609代码:e4
长度:2.3 mm逻辑集成电路类型:BUFFER
湿度敏感等级:1功能数量:3
输入次数:1端子数量:8
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-40 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:VSSOP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE, SHRINK PITCH
峰值回流温度(摄氏度):260传播延迟(tpd):29 ns
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1 mm
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:AUTOMOTIVE
端子面层:Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)端子形式:GULL WING
端子节距:0.5 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:30宽度:2 mm
Base Number Matches:1

74HCT3G34DC 数据手册

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INTEGRATED CIRCUITS  
DATA SHEET  
74HC3G34; 74HCT3G34  
Triple buffer gate  
Product specification  
2003 May 19  
Supersedes data of 2003 Feb 10  

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