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74HCT2G86DP

更新时间: 2024-09-23 22:11:51
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 逻辑集成电路石英晶振光电二极管
页数 文件大小 规格书
17页 84K
描述
Dual 2-input exclusive-OR gate

74HCT2G86DP 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred零件包装代码:SOIC
包装说明:3 MM, PLASTIC, SOT505-2, TSSOP-8针数:8
Reach Compliance Code:unknownHTS代码:8542.39.00.01
风险等级:5.56Is Samacsys:N
系列:HCTJESD-30 代码:S-PDSO-G8
JESD-609代码:e4长度:3 mm
逻辑集成电路类型:XOR GATE湿度敏感等级:1
功能数量:2输入次数:2
端子数量:8最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-40 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSSOP封装形状:SQUARE
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH峰值回流温度(摄氏度):260
传播延迟(tpd):48 ns认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.1 mm最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:AUTOMOTIVE端子面层:NICKEL PALLADIUM GOLD
端子形式:GULL WING端子节距:0.65 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:30
宽度:3 mmBase Number Matches:1

74HCT2G86DP 数据手册

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INTEGRATED CIRCUITS  
DATA SHEET  
74HC2G86; 74HCT2G86  
Dual 2-input exclusive-OR gate  
Product specification  
2003 Jul 28  
Supersedes data of 2002 Jul 17  

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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