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74HCT1G00GV

更新时间: 2024-11-17 21:53:19
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 触发器逻辑集成电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
16页 75K
描述
2-input NAND gate

74HCT1G00GV 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred零件包装代码:SOIC
包装说明:TSSOP, TSOP6,.11,37针数:5
Reach Compliance Code:compliantHTS代码:8542.39.00.01
风险等级:5.21系列:HCT
JESD-30 代码:R-PDSO-G5JESD-609代码:e3
长度:2.9 mm负载电容(CL):50 pF
逻辑集成电路类型:NAND GATE最大I(ol):0.002 A
湿度敏感等级:1功能数量:1
输入次数:2端子数量:5
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-40 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSSOP
封装等效代码:TSOP6,.11,37封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH包装方法:TAPE AND REEL
峰值回流温度(摄氏度):260电源:5 V
Prop。Delay @ Nom-Sup:27 ns传播延迟(tpd):27 ns
认证状态:Not Qualified施密特触发器:NO
座面最大高度:1.1 mm子类别:Gates
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:AUTOMOTIVE
端子面层:Tin (Sn)端子形式:GULL WING
端子节距:0.95 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:30宽度:1.5 mm
Base Number Matches:1

74HCT1G00GV 数据手册

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INTEGRATED CIRCUITS  
DATA SHEET  
74HC1G00; 74HCT1G00  
2-input NAND gate  
Product specification  
2002 May 15  
Supersedes data of 2001 Mar 02  

74HCT1G00GV 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
74AHCT1G00GV,125 NXP

完全替代

74AHC(T)1G00 - 2-input NAND gate TSOP 5-Pin
SN74AHCT1G00DBVR TI

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NAND Gate, HCT Series, 1-Func, 2-Input, CMOS, PDSO5
74HCT1G00GW NXP

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2-input NAND gate
74HCT1G00GW NEXPERIA

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