Datasheet > 逻辑 > 栅极> 74HC3G06GD

74HC3G06GD

更新时间： 2024-11-28 06:31:55

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		/
页数	文件大小	规格书
13页	85K
描述
Triple inverter with open-drain outputs

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

74HC3G06GD 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	SON
包装说明：	3 X 2 MM, 0.50 MM HEIGHT, PLASTIC, SOT996-2, XSON-8	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8542.39.00.01
风险等级：	5.71	系列：	HC/UH
JESD-30 代码：	R-PDSO-N8	JESD-609代码：	e4
长度：	3 mm	逻辑集成电路类型：	INVERTER
湿度敏感等级：	1	功能数量：	3
输入次数：	1	端子数量：	8
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
输出特性：	OPEN-DRAIN	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	VSON	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
传播延迟（tpd）：	125 ns	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	0.5 mm	最大供电电压 (Vsup)：	6 V
最小供电电压 (Vsup)：	2 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	AUTOMOTIVE	端子面层：	NICKEL PALLADIUM GOLD
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
宽度：	2 mm	Base Number Matches：	1

74HC3G06GD 数据手册

74HC3G06; 74HCT3G06

Triple inverter with open-drain outputs

Rev. 03 — 11 May 2009

Product data sheet

1. General description

The 74HC3G06 and 74HCT3G06 are high-speed Si-gate CMOS devices. They provide

three inverting buffers with open-drain outputs.

The outputs of the 74HC3G06 and 74HCT3G06 devices are open drains and can be

connected to other open-drain outputs to implement active-LOW wired-OR or active-HIGH

wired-AND functions. For digital operation this device must have a pull-up resistor to

establish a logic HIGH-level.

The HC device has CMOS input switching levels and supply voltage range 2 V to 6 V.

The HCT device has TTL input switching levels and supply voltage range 4.5 V to 5.5 V.

2. Features

I Wide supply voltage range from 2.0 V to 6.0 V

I High noise immunity

I Low power dissipation

I Multiple package options

I ESD protection:

N HBM JESD22-A114E exceeds 2000 V

N MM JESD22-A115-A exceeds 200 V

I Speciﬁed from −40 °C to +85 °C and −40 °C to +125 °C

3. Ordering information

Table 1.

Ordering information

Type number

Package

Temperature range Name

Description

Version

74HC3G06DP

74HCT3G06DP

74HC3G06DC

74HCT3G06DC

74HC3G06GD

74HCT3G06GD

−40 °C to +125 °C

TSSOP8

plastic thin shrink small outline package; 8 leads;

body width 3 mm; lead length 0.5 mm

SOT505-2

VSSOP8

plastic very thin shrink small outline package; 8 leads; SOT765-1

body width 2.3 mm

XSON8U plastic extremely thin small outline package; no leads; SOT996-2

8 terminals; UTLP based; body 3 × 2 × 0.5 mm

12 3 4 5 6 7...13

中文翻译

下载PDF

与74HC3G06GD相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
74HC3G06GD,125	NXP	获取价格	74HC(T)3G06 - Triple inverter with open-drain outputs SON 8-Pin
74HC3G07	NXP	获取价格	Buffer with open-drain outputs
74HC3G07DC	NXP	获取价格	Triple buffer with open-drain outputs
74HC3G07DC	NEXPERIA	获取价格	Triple buffer with open-drain outputsProduction
74HC3G07DC,125	NXP	获取价格	74HC(T)3G07 - Triple buffer with open-drain outputs SSOP 8-Pin
74HC3G07DC-Q100	NXP	获取价格	HC/UH SERIES, TRIPLE 1-INPUT NON-INVERT GATE, PDSO8, 2.30 MM, PLASTIC, MO-187, SOT765-1, V
74HC3G07DC-Q100	NEXPERIA	获取价格	Triple buffer with open-drain outputs
74HC3G07DC-Q100,125	NXP	获取价格	Buffer, HC/UH Series, 3-Func, 1-Input, CMOS, PDSO8
74HC3G07DC-Q100H	NXP	获取价格	74HC(T)3G07-Q100 - Triple buffer with open-drain outputs SSOP 8-Pin
74HC3G07DP	NXP	获取价格	Triple buffer with open-drain outputs

与74HC3G06GD相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

49
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

38
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

67
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

62

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

74HC3G06GD

74HC3G06GD 技术参数

74HC3G06GD 数据手册

与74HC3G06GD相关器件

与74HC3G06GD相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

74HC3G06GD

74HC3G06GD 技术参数

74HC3G06GD 数据手册

与74HC3G06GD相关器件

与74HC3G06GD相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？