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74F765-1N

更新时间: 2024-11-10 20:04:31
品牌 Logo 应用领域
国巨 - YAGEO 动态存储器光电二极管外围集成电路
页数 文件大小 规格书
29页 704K
描述
DRAM Controller, 256K X 1, Bipolar, PDIP40

74F765-1N 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:,
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.84
Is Samacsys:N地址总线宽度:18
边界扫描:NO总线兼容性:68020; 68000 FAMILY; 8086; Z80
外部数据总线宽度:JESD-30 代码:R-PDIP-T40
低功率模式:NO内存组织:256K X 1
区块数量:1端子数量:40
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE认证状态:Not Qualified
最大压摆率:170 mA最大供电电压:5.5 V
最小供电电压:4.5 V标称供电电压:5 V
表面贴装:NO技术:BIPOLAR
温度等级:COMMERCIAL端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:DUALuPs/uCs/外围集成电路类型:MEMORY CONTROLLER, DRAM
Base Number Matches:1

74F765-1N 数据手册

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