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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8542.39.00.01 |
| 风险等级： | 5.84 | 系列： | F/FAST |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G20 | 负载电容（CL）： | 50 pF |
| 逻辑集成电路类型： | OR GATE | 功能数量： | 6 |
| 输入次数： | 2 | 端子数量： | 20 |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 最大电源电流（ICC）： | 36 mA |
| 传播延迟（tpd）： | 5.5 ns | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | TTL | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 74F1832N | YAGEO |
获取价格 |
OR Gate, F/FAST Series, 6-Func, 2-Input, TTL, PDIP20 |
|
| 74F185AP | BOURNS |
获取价格 |
General Purpose Inductor, 18uH, 10%, 1 Element, Phenolic-Core |
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| 74F185AP-RC | BOURNS |
获取价格 |
High Q, high self-resonant frequency Varnish coated |
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| 74F186AP | BOURNS |
获取价格 |
General Purpose Inductor, 1.8uH, 20%, 1 Element, Phenolic-Core |
|
| 74F186AP-RC | BOURNS |
获取价格 |
High Q, high self-resonant frequency Varnish coated |
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| 74F189 | NXP |
获取价格 |
64-bit TTL bipolar RAM, inverting 3-State |
|
| 74F189 | FAIRCHILD |
获取价格 |
64-Bit Random Access Memory with 3-STATE Outputs |
|
| 74F189 | NSC |
获取价格 |
64-Bit Random Access Memory with TRI-STATEE Outputs |
|
| 74F189A | NXP |
获取价格 |
64-bit TTL bipolar RAM, inverting 3-State |
|
| 74F189DC | FAIRCHILD |
获取价格 |
Standard SRAM, 16X4, 20ns, CMOS, CDIP16, CERAMIC, DIP-16 |
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