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74CBTLV16211CGRDR PDF预览

74CBTLV16211CGRDR

更新时间： 2024-09-15 03:07:43
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 总线驱动器总线收发器开关逻辑集成电路
页数 文件大小 规格书
11页 304K
描述
LOW-VOLTAGE 24-BIT FET BUS SWITCH

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74CBTLV16211CGRDR 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：BGA包装说明：TFBGA, BGA54,6X9,32
针数：54Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.39.00.01
风险等级：8.18Is Samacsys：N
控制类型：ENABLE LOW计数方向：BIDIRECTIONAL
系列：CBTLV/3BJESD-30 代码：R-PBGA-B54
JESD-609代码：e0长度：8 mm
逻辑集成电路类型：BUS DRIVER湿度敏感等级：1
位数：12功能数量：2
端口数量：2端子数量：54
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
输出特性：3-STATE输出极性：TRUE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TFBGA
封装等效代码：BGA54,6X9,32封装形状：RECTANGULAR
封装形式：GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH包装方法：TR
峰值回流温度（摄氏度）：240电源：2.5/3.3 V
最大电源电流（ICC）：0.01 mAProp。Delay @ Nom-Sup：0.25 ns
传播延迟（tpd）：0.25 ns认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm子类别：Bus Driver/Transceivers
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：2.3 V
标称供电电压 (Vsup)：2.5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：BALL
端子节距：0.8 mm端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED翻译：N/A
宽度：5.5 mmBase Number Matches：1

74CBTLV16211CGRDR 数据手册

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SCDS204 − JULY 2005  
D
D
D
D
Member of the Texas Instruments  
WidebusFamily  
5-Ω Switch Connection Between Two Ports  
Rail-to-Rail Switching on Data I/O Ports  
D
D
Latch-Up Performance Exceeds 250 mA Per  
JESD 17  
ESD Protection Exceeds JESD 22  
− 2000-V Human-Body Model (A114-A)  
I
Supports Partial-Power-Down Mode  
off  
Operation  
description/ordering information  
The SN74CBTLV16211C provides 24 bits of high-speed bus switching. The low on-state resistance of the switch  
allows connections to be made with minimal propagation delay.  
The device is organized as dual 12-bit bus switches with separate output-enable (OE) inputs. It can be used  
as two 12-bit bus switches or as one 24-bit bus switch. When OE is low, the associated 12-bit bus switch is on,  
and port A is connected to port B. When OE is high, the switch is open, and the high-impedance state exists  
between the two ports.  
This device is fully specified for partial-power-down applications using I . The I feature ensures that  
off  
off  
damaging current will not backflow through the device when it is powered down. The device has isolation during  
power off.  
To ensure the high-impedance state during power up or power down, OE should be tied to V  
resistor; the minimum value of the resistor is determined by the current-sinking capability of the driver.  
through a pullup  
CC  
ORDERING INFORMATION  
ORDERABLE  
PART NUMBER  
TOP-SIDE  
MARKING  
†
PACKAGE  
T
A
VFBGA − GRD  
VFBGA − ZRD (Pb-free)  
Tape and reel  
Tape and reel  
74CBTLV16211CGRDR  
74CBTLV16211CZRDR  
−40°C to 85°C  
CN211  
†
Package drawings, standard packing quantities, thermal data, symbolization, and PCB design guidelines are  
available at www.ti.com/sc/package.  
Please be aware that an important notice concerning availability, standard warranty, and use in critical applications of  
Texas Instruments semiconductor products and disclaimers thereto appears at the end of this data sheet.  
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Copyright 2005, Texas Instruments Incorporated  
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POST OFFICE BOX 655303 • DALLAS, TEXAS 75265  
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74CBTLV16211CGRDR 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SN74CBTLV16211VR TI

类似代替

 LOW-VOLTAGE 24-BIT FET BUS SWITCH
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 QUADRUPLE FET BUS SWITCH

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74CBTLV16211CZRDR TI

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74CBTLV16211DLG4 TI

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74CBTLV16211PA IDT

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74CBTLV16211PAG IDT

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74CBTLV16211PAG8 IDT

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