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74AUP2G07GM

更新时间： 2024-11-18 03:44:15

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恩智浦 - NXP		栅极触发器逻辑集成电路光电二极管
页数	文件大小	规格书
15页	80K
描述
Low-power dual buffer with open-drain output

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74AUP2G07GM 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	SON
包装说明：	1 X 1.45 MM, 0.50 MM HEIGHT, PLASTIC, MO-252, SOT-886, SON-6	针数：	6
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8542.39.00.01
风险等级：	5.33	Is Samacsys：	N
系列：	AUP/ULP/V	JESD-30 代码：	R-PDSO-N6
JESD-609代码：	e3	长度：	1.45 mm
负载电容（CL）：	30 pF	逻辑集成电路类型：	BUFFER
最大I（ol）：	0.0017 A	湿度敏感等级：	1
功能数量：	2	输入次数：	1
端子数量：	6	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	输出特性：	OPEN-DRAIN
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	VSON
封装等效代码：	SOLCC6,.04,20	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE	包装方法：	TAPE AND REEL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	1.2/3.3 V
Prop。Delay @ Nom-Sup：	20.7 ns	传播延迟（tpd）：	20.7 ns
认证状态：	Not Qualified	施密特触发器：	NO
座面最大高度：	0.5 mm	子类别：	Gates
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	0.8 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.1 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	AUTOMOTIVE
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	宽度：	1 mm
Base Number Matches：	1

74AUP2G07GM 数据手册

74AUP2G07

Low-power dual buffer with open-drain output

Rev. 03 — 16 October 2007

Product data sheet

1. General description

The 74AUP2G07 provides two non-inverting buffers with open-drain output. The output of

the device is an open drain and can be connected to other open-drain outputs to

implement active-LOW wired-OR or active-HIGH wired-AND functions.

Schmitt-trigger action at all inputs makes the circuit tolerant to slower input rise and fall

times across the entire V_CCrange from 0.8 V to 3.6 V.

This device ensures a very low static and dynamic power consumption across the entire

V_CCrange from 0.8 V to 3.6 V.

This device is fully speciﬁed for partial power-down applications using I_OFF

The I_OFFcircuitry disables the output, preventing the damaging backﬂow current through

the device when it is powered down.

2. Features

■ Wide supply voltage range from 0.8 V to 3.6 V

■ High noise immunity

■ Complies with JEDEC standards:

◆ JESD8-12 (0.8 V to 1.3 V)

◆ JESD8-11 (0.9 V to 1.65 V)

◆ JESD8-7 (1.2 V to 1.95 V)

◆ JESD8-5 (1.8 V to 2.7 V)

◆ JESD8-B (2.7 V to 3.6 V)

■ ESD protection:

◆ HBM JESD22-A114E Class 3A exceeds 5000 V

◆ MM JESD22-A115-A exceeds 200 V

◆ CDM JESD22-C101C exceeds 1000 V

■ Low static-power consumption; I_CC= 0.9 µA (maximum)

■ Latch-up performance exceeds 100 mA per JESD 78 Class II

■ Inputs accept voltages up to 3.6 V

■ Low noise overshoot and undershoot < 10 % of V_CC

■ I_OFFcircuitry provides partial Power-down mode operation

■ Multiple package options

■ Speciﬁed from −40 °C to +85 °C and −40 °C to +125 °C

12 3 4 5 6 7...15

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
74AUP2G07GM,115	NXP	获取价格	74AUP2G07 - Low-power dual buffer with open-drain output SON 6-Pin
74AUP2G07GM,132	NXP	获取价格	74AUP2G07 - Low-power dual buffer with open-drain output SON 6-Pin
74AUP2G07GN	NEXPERIA	获取价格	Low-power dual buffer with open-drain outputProduction
74AUP2G07GN	NXP	获取价格	AUP/ULP/V SERIES, DUAL 1-INPUT NON-INVERT GATE, PDSO6, 0.90 X 1 MM, 0.35 MM HEIGHT, SOT-11
74AUP2G07GS	NEXPERIA	获取价格	Low-power dual buffer with open-drain outputProduction
74AUP2G07GW	NXP	获取价格	Low-power dual buffer with open-drain output
74AUP2G07GW	NEXPERIA	获取价格	Low-power dual buffer with open-drain outputProduction
74AUP2G07GX	NEXPERIA	获取价格	Low-power dual buffer with open-drain outputProduction
74AUP2G07GX,147	NXP	获取价格	Buffer, AUP/ULP/V Series, 2-Func, 1-Input, CMOS, PDSO6
74AUP2G08	NXP	获取价格	Low-power dual 2-input AND gate

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