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74AUP2G06GN

更新时间： 2024-11-18 12:52:55

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恩智浦 - NXP		/
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18页	125K
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Low-power dual inverter with open-drain output

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74AUP2G06GN 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	SON	包装说明：	SON,
针数：	6	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8542.39.00.01	风险等级：	5.61
系列：	AUP/ULP/V	JESD-30 代码：	R-PDSO-N6
JESD-609代码：	e3	长度：	1 mm
逻辑集成电路类型：	INVERTER	湿度敏感等级：	1
功能数量：	2	输入次数：	1
端子数量：	6	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	输出特性：	OPEN-DRAIN
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SON
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	传播延迟（tpd）：	21.3 ns
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	0.35 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	0.8 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.1 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	AUTOMOTIVE
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	0.3 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	宽度：	0.9 mm
Base Number Matches：	1

74AUP2G06GN 数据手册

74AUP2G06

Low-power dual inverter with open-drain output

Rev. 4 — 6 December 2011

Product data sheet

1. General description

The 74AUP2G06 provides two inverting buffers with open-drain output. The output of the

device is an open drain and can be connected to other open-drain outputs to implement

active-LOW wired-OR or active-HIGH wired-AND functions.

Schmitt-trigger action at all inputs makes the circuit tolerant to slower input rise and fall

times across the entire V_CCrange from 0.8 V to 3.6 V.

This device ensures a very low static and dynamic power consumption across the entire

V_CCrange from 0.8 V to 3.6 V.

This device is fully specified for partial Power-down applications using I_OFF

The I_OFFcircuitry disables the output, preventing the damaging backflow current through

the device when it is powered down.

2. Features and benefits

 Wide supply voltage range from 0.8 V to 3.6 V

 High noise immunity

 Complies with JEDEC standards:

 JESD8-12 (0.8 V to 1.3 V)

 JESD8-11 (0.9 V to 1.65 V)

 JESD8-7 (1.2 V to 1.95 V)

 JESD8-5 (1.8 V to 2.7 V)

 JESD8-B (2.7 V to 3.6 V)

 ESD protection:

 HBM JESD22-A114F Class 3A. Exceeds 5000 V

 MM JESD22-A115-A exceeds 200 V

 CDM JESD22-C101E exceeds 1000 V

 Low static power consumption; I_CC= 0.9 A (maximum)

 Latch-up performance exceeds 100 mA per JESD 78B Class II

 Inputs accept voltages up to 3.6 V

 Low noise overshoot and undershoot < 10 % of V_CC

 I_OFFcircuitry provides partial Power-down mode operation

 Multiple package options

 Specified from 40 C to +85 C and 40 C to +125 C

12 3 4 5 6 7...18

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74AUP2G06GS	NEXPERIA	获取价格	Low-power dual inverter with open-drain outputProduction
74AUP2G06GS	NXP	获取价格	Low-power dual inverter with open-drain output
74AUP2G06GW	NXP	获取价格	Low-power dual inverter with open-drain output
74AUP2G06GW	NEXPERIA	获取价格	Low-power dual inverter with open-drain outputProduction
74AUP2G07	NXP	获取价格	Low-power dual buffer with open-drain output
74AUP2G07	DIODES	获取价格	DUAL BUFFERS WITH OPEN DRAIN OUTPUTS
74AUP2G07DW-7	DIODES	获取价格	DUAL BUFFERS WITH OPEN DRAIN OUTPUTS
74AUP2G07FW3-7	DIODES	获取价格	DUAL BUFFERS WITH OPEN DRAIN OUTPUTS
74AUP2G07FW4-7	DIODES	获取价格	DUAL BUFFERS WITH OPEN DRAIN OUTPUTS
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