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74AUP1G00GF

更新时间： 2024-11-24 03:44:23

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恩智浦 - NXP		栅极触发器逻辑集成电路光电二极管
页数	文件大小	规格书
16页	83K
描述
Low-power 2-input NAND gate

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74AUP1G00GF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	SON
包装说明：	VSON, SOLCC6,.04,14	针数：	6
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8542.39.00.01
风险等级：	5.39	Is Samacsys：	N
系列：	AUP/ULP/V	JESD-30 代码：	S-PDSO-N6
JESD-609代码：	e3	长度：	1 mm
负载电容（CL）：	30 pF	逻辑集成电路类型：	NAND GATE
最大I（ol）：	0.0017 A	湿度敏感等级：	1
功能数量：	1	输入次数：	2
端子数量：	6	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	VSON	封装等效代码：	SOLCC6,.04,14
封装形状：	SQUARE	封装形式：	SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE
包装方法：	TAPE AND REEL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	1.2/3.3 V	Prop。Delay @ Nom-Sup：	24.9 ns
传播延迟（tpd）：	24.9 ns	认证状态：	Not Qualified
施密特触发器：	NO	座面最大高度：	0.5 mm
子类别：	Gates	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	0.8 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.1 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	AUTOMOTIVE	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	0.35 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
宽度：	1 mm	Base Number Matches：	1

74AUP1G00GF 数据手册

74AUP1G00

Low-power 2-input NAND gate

Rev. 02 — 29 June 2006

Product data sheet

1. General description

The 74AUP1G00 is a high-performance, low-power, low-voltage, Si-gate CMOS device,

superior to most advanced CMOS compatible TTL families.

Schmitt-trigger action at all inputs makes the circuit tolerant to slower input rise and fall

times across the entire V_CCrange from 0.8 V to 3.6 V.

This device ensures a very low static and dynamic power consumption across the entire

V_CCrange from 0.8 V to 3.6 V.

This device is fully speciﬁed for partial Power-down applications using I_OFF

The I_OFFcircuitry disables the output, preventing the damaging backﬂow current through

the device when it is powered down.

The 74AUP1G00 provides the single 2-input NAND function.

2. Features

■ Wide supply voltage range from 0.8 V to 3.6 V

■ High noise immunity

■ Complies with JEDEC standards:

◆ JESD8-12 (0.8 V to 1.3 V)

◆ JESD8-11 (0.9 V to 1.65 V)

◆ JESD8-7 (1.2 V to 1.95 V)

◆ JESD8-5 (1.8 V to 2.7 V)

◆ JESD8-B (2.7 V to 3.6 V)

■ ESD protection:

◆ HBM JESD22-A114-C Class 3A. Exceeds 5000 V

◆ MM JESD22-A115-A exceeds 200 V

◆ CDM JESD22-C101-C exceeds 1000 V

■ Low static power consumption; I_CC= 0.9 µA (maximum)

■ Latch-up performance exceeds 100 mA per JESD 78 Class II

■ Inputs accept voltages up to 3.6 V

■ Low noise overshoot and undershoot < 10 % of V_CC

■ I_OFFcircuitry provides partial Power-down mode operation

■ Multiple package options

■ Speciﬁed from −40 °C to +85 °C and −40 °C to +125 °C

12 3 4 5 6 7...16

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
74AUP1G00GM	NXP	功能相似	Low-power 2-input NAND gate

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
74AUP1G00GF,132	NXP	获取价格	74AUP1G00 - Low-power 2-input NAND gate SON 6-Pin
74AUP1G00GM	NXP	获取价格	Low-power 2-input NAND gate
74AUP1G00GM	NEXPERIA	获取价格	Low-power 2-input NAND gateProduction
74AUP1G00GN	NXP	获取价格	AUP/ULP/V SERIES, 2-INPUT NAND GATE, PDSO6, 0.90 X 1 MM, 0.35 MM HEIGHT, SOT-1115, SON-6
74AUP1G00GN	NEXPERIA	获取价格	Low-power 2-input NAND gateProduction
74AUP1G00GS	NEXPERIA	获取价格	Low-power 2-input NAND gateProduction
74AUP1G00GW	NXP	获取价格	Low-power 2-input NAND gate
74AUP1G00GW	NEXPERIA	获取价格	Low-power 2-input NAND gateProduction
74AUP1G00GW-Q100	NEXPERIA	获取价格	Low-power 2-input NAND gateProduction
74AUP1G00GX	NEXPERIA	获取价格	Low-power 2-input NAND gateProduction

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