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74AHCT2G32DP

更新时间： 2024-11-07 22:11:47

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		逻辑集成电路光电二极管
页数	文件大小	规格书
16页	83K
描述
Dual 2-input OR gate

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74AHCT2G32DP 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	3 MM, PLASTIC, SOT505-2, TSSOP-8	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8542.39.00.01
风险等级：	5.43	系列：	AHCT/VHCT/VT
JESD-30 代码：	S-PDSO-G8	JESD-609代码：	e4
长度：	3 mm	负载电容（CL）：	50 pF
逻辑集成电路类型：	OR GATE	最大I（ol）：	0.008 A
湿度敏感等级：	1	功能数量：	2
输入次数：	2	端子数量：	8
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSSOP
封装等效代码：	TSSOP8,.16	封装形状：	SQUARE
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	5 V	Prop。Delay @ Nom-Sup：	10 ns
传播延迟（tpd）：	10 ns	认证状态：	Not Qualified
施密特触发器：	NO	座面最大高度：	1.1 mm
子类别：	Gates	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	AUTOMOTIVE	端子面层：	NICKEL PALLADIUM GOLD
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.65 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
宽度：	3 mm	Base Number Matches：	1

74AHCT2G32DP 数据手册

74AHC2G32; 74AHCT2G32

Dual 2-input OR gate

Rev. 01 — 23 February 2004

Product data sheet

1. General description

The 74AHC2G/AHCT2G32 is a high-speed Si-gate CMOS device. This device provides

two 2-input OR gates.

2. Features

■ Symmetrical output impedance

■ High noise immunity

■ ESD protection:

◆ HBM EIA/JESD22-A114-A exceeds 2000 V

◆ MM EIA/JESD22-A115-A exceeds 200 V

◆ CDM EIA/JESD22-C101 exceeds 1000 V.

■ Low power dissipation

■ Balanced propagation delays

■ SOT505-2 and SOT765-1 package

■ Speciﬁed from −40 °C to +85 °C and −40 °C to +125 °C.

3. Quick reference data

Table 1:

Quick reference data

GND = 0 V; T_amb= 25 °C; t_r= t_f≤ 3.0 ns.

Symbol

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Type 74AHC2G

t_PHL, t_PLH

propagation delay C_L= 15 pF;

3.2

5.5

nA and nB to nY

V_CC= 5 V

C_I

input capacitance

1.5

[1] [2]

C_PD

power dissipation C_L= 50 pF;

capacitance f_i= 1 MHz

Type 74AHCT2G

t_PHL, t_PLH

propagation delay C_L= 15 pF;

3.3

6.9

nA and nB to nY

V_CC= 5 V

C_I

input capacitance

1.5

[1] [2]

C_PD

power dissipation C_L= 50 pF;

capacitance f_i= 1 MHz

[1] C_PDis used to determine the dynamic power dissipation (P_Din µW).

P_D= C_PD× V_CC²× f_i× N + Σ(C_L× V_CC²× f_o) where:

f_i= input frequency in MHz;

f_o= output frequency in MHz;

12 3 4 5 6 7...16

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与74AHCT2G32DP相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
74AHCT2G32DP,125	NXP	获取价格	74AHC(T)2G32 - Dual 2-input OR gate TSSOP 8-Pin
74AHCT2G32DP-Q100	NEXPERIA	获取价格	Automotive product qualification in accordance with AEC-Q100
74AHCT2G32DP-Q100,125	NXP	获取价格	OR Gate, AHCT/VHCT/VT Series, 2-Func, 2-Input, CMOS, PDSO8
74AHCT2G32GD	NXP	获取价格	Dual 2-input OR gate
74AHCT30	NXP	获取价格	8-input NAND gate
74AHCT30BQ	NXP	获取价格	8-input NAND gate
74AHCT30BQ	NEXPERIA	获取价格	8-input NAND gateProduction
74AHCT30BQ,115	NXP	获取价格	74AHC(T)30 - 8-input NAND gate QFN 14-Pin
74AHCT30BQ-Q100	NXP	获取价格	IC AHCT/VHCT/VT SERIES, 8-INPUT NAND GATE, PQCC14, 2.50 X 3 MM, 0.85 MM HEIGHT, PLASTIC, M
74AHCT30BQ-Q100	NEXPERIA	获取价格	Automotive product qualification in accordance with AEC-Q100

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