Datasheet > 逻辑 > 栅极> 74AHC3GU04DP

74AHC3GU04DP

更新时间： 2024-11-04 22:01:59

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		栅极逻辑集成电路光电二极管
页数	文件大小	规格书
17页	95K
描述
high-speed Si-gate CMOS device

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

74AHC3GU04DP 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	3 MM WIDTH, PLASTIC, SOT505-2, TSSOP-8	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8542.39.00.01
风险等级：	5.51	Is Samacsys：	N
系列：	AHC/VHC/H/U/V	JESD-30 代码：	S-PDSO-G8
JESD-609代码：	e4	长度：	3 mm
负载电容（CL）：	50 pF	逻辑集成电路类型：	INVERTER
最大I（ol）：	0.008 A	湿度敏感等级：	1
功能数量：	3	输入次数：	1
端子数量：	8	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSSOP	封装等效代码：	TSSOP8,.16
封装形状：	SQUARE	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
包装方法：	TAPE AND REEL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	2/5.5 V	Prop。Delay @ Nom-Sup：	9 ns
传播延迟（tpd）：	13.5 ns	认证状态：	Not Qualified
施密特触发器：	NO	座面最大高度：	1.1 mm
子类别：	Gates	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	2 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	AUTOMOTIVE	端子面层：	NICKEL PALLADIUM GOLD
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.65 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
宽度：	3 mm	Base Number Matches：	1

74AHC3GU04DP 数据手册

74AHC3GU04

Inverter

Rev. 01 — 5 March 2004

Product data sheet

1. General description

The 74AHC3GU04 is a high-speed Si-gate CMOS device. This device provides the

inverting single stage function.

2. Features

■ Symmetrical output impedance

■ High noise immunity

■ ESD protection:

◆ HBM EIA/JESD22-A114-A exceeds 2000 V

◆ MM EIA/JESD22-A115-A exceeds 200 V

◆ CDM EIA/JESD22-C101 exceeds 1000 V.

■ Low power dissipation

■ Balanced propagation delays

■ SOT505-2 and SOT765-1 package

■ Output capability ±8 mA drive

■ Speciﬁed from −40 °C to +85 °C and from −40 °C to +125 °C.

3. Quick reference data

Table 1:

Quick reference data

GND = 0 V; T_amb= 25 °C; t_r= t_f≤ 3.0 ns.

Symbol

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

t_PHL, t_PLH

propagation delay nA to nY V_CC= 5 V;

C_L= 15 pF

2.5

5.5

C_I

input capacitance

3.0

[1]

[2]

C_PD

power dissipation

capacitance

[1] C_PDis used to determine the dynamic power dissipation (P_Din µW).

P_D= C_PD× V_CC²× f_i× N + Σ(C_L× V_CC²× f_o) where:

f_i= input frequency in MHz;

f_o= output frequency in MHz;

C_L= output load capacitance in pF;

V_CC= supply voltage in Volts;

N = total load switching outputs;

Σ(C_L× V_CC²× f_o) = sum of the outputs.

[2] The condition is V_I= GND to V_CC

12 3 4 5 6 7...17

中文翻译

下载PDF

74AHC3GU04DP 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
74LVC2G08DP	NEXPERIA	功能相似	Dual 2-input AND gateProduction

与74AHC3GU04DP相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
74AHC3GU04DP,125	NXP	获取价格	74AHC3GU04 - Inverter TSSOP 8-Pin
74AHC3GU04DP-G	NXP	获取价格	Inverter - Description: Triple Hex Inverter (Unbuffered) ; Logic switching levels: CMOS ;
74AHC3GU04DP-Q100	NEXPERIA	获取价格	Triple unbuffered inverter
74AHC3GU04DP-Q100H	NXP	获取价格	74AHC3GU04-Q100 - Triple unbuffered inverter TSSOP 8-Pin
74AHC3GU04GD	NXP	获取价格	Inverter
74AHC3GU04GD,125	NXP	获取价格	74AHC3GU04 - Inverter SON 8-Pin
74AHC3GU04-Q100	NEXPERIA	获取价格	Triple unbuffered inverter
74AHC541	NXP	获取价格	Octal buffer/line driver; 3-state
74AHC541	SGMICRO	获取价格	Octal Buffer/Line Driver with 3-State Outputs
74AHC541BQ	NXP	获取价格	Octal buffer/line driver; 3-state

与74AHC3GU04DP相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

13
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

9
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

35
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

31

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

74AHC3GU04DP

74AHC3GU04DP 技术参数

74AHC3GU04DP 数据手册

74AHC3GU04DP 替代型号

与74AHC3GU04DP相关器件

与74AHC3GU04DP相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

74AHC3GU04DP

74AHC3GU04DP 技术参数

74AHC3GU04DP 数据手册

74AHC3GU04DP 替代型号

与74AHC3GU04DP相关器件

与74AHC3GU04DP相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？