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74AHC3GU04DC

更新时间： 2024-01-16 12:38:39

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恩智浦 - NXP		触发器逻辑集成电路光电二极管栅
页数	文件大小	规格书
17页	95K
描述
high-speed Si-gate CMOS device

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74AHC3GU04DC 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TSSOP
包装说明：	VSSOP, TSSOP8,.12,20	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8542.39.00.01
风险等级：	5.49	Is Samacsys：	N
系列：	AHC/VHC/H/U/V	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
JESD-609代码：	e4	长度：	2.3 mm
负载电容（CL）：	50 pF	逻辑集成电路类型：	INVERTER
最大I（ol）：	0.008 A	湿度敏感等级：	1
功能数量：	3	输入次数：	1
端子数量：	8	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	VSSOP	封装等效代码：	TSSOP8,.12,20
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE, SHRINK PITCH
包装方法：	TAPE AND REEL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	2/5.5 V	Prop。Delay @ Nom-Sup：	9 ns
传播延迟（tpd）：	13.5 ns	认证状态：	Not Qualified
施密特触发器：	NO	座面最大高度：	1 mm
子类别：	Gates	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	2 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	AUTOMOTIVE	端子面层：	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
宽度：	2 mm	Base Number Matches：	1

74AHC3GU04DC 数据手册

74AHC3GU04

Inverter

Rev. 01 — 5 March 2004

Product data sheet

1. General description

The 74AHC3GU04 is a high-speed Si-gate CMOS device. This device provides the

inverting single stage function.

2. Features

■ Symmetrical output impedance

■ High noise immunity

■ ESD protection:

◆ HBM EIA/JESD22-A114-A exceeds 2000 V

◆ MM EIA/JESD22-A115-A exceeds 200 V

◆ CDM EIA/JESD22-C101 exceeds 1000 V.

■ Low power dissipation

■ Balanced propagation delays

■ SOT505-2 and SOT765-1 package

■ Output capability ±8 mA drive

■ Speciﬁed from −40 °C to +85 °C and from −40 °C to +125 °C.

3. Quick reference data

Table 1:

Quick reference data

GND = 0 V; T_amb= 25 °C; t_r= t_f≤ 3.0 ns.

Symbol

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

t_PHL, t_PLH

propagation delay nA to nY V_CC= 5 V;

C_L= 15 pF

2.5

5.5

C_I

input capacitance

3.0

[1]

[2]

C_PD

power dissipation

capacitance

[1] C_PDis used to determine the dynamic power dissipation (P_Din µW).

P_D= C_PD× V_CC²× f_i× N + Σ(C_L× V_CC²× f_o) where:

f_i= input frequency in MHz;

f_o= output frequency in MHz;

C_L= output load capacitance in pF;

V_CC= supply voltage in Volts;

N = total load switching outputs;

Σ(C_L× V_CC²× f_o) = sum of the outputs.

[2] The condition is V_I= GND to V_CC

12 3 4 5 6 7...17

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
74AHC3GU04DC,125	NXP	获取价格	74AHC3GU04 - Inverter SSOP 8-Pin
74AHC3GU04DC-G	NXP	获取价格	暂无描述
74AHC3GU04DC-Q100	NEXPERIA	获取价格	Triple unbuffered inverter
74AHC3GU04DC-Q100H	NXP	获取价格	74AHC3GU04-Q100 - Triple unbuffered inverter SSOP 8-Pin
74AHC3GU04DP	NXP	获取价格	high-speed Si-gate CMOS device
74AHC3GU04DP	PHILIPS	获取价格	Inverter, CMOS, PDSO8,
74AHC3GU04DP	NEXPERIA	获取价格	Triple unbuffered inverterProduction
74AHC3GU04DP,125	NXP	获取价格	74AHC3GU04 - Inverter TSSOP 8-Pin
74AHC3GU04DP-G	NXP	获取价格	Inverter - Description: Triple Hex Inverter (Unbuffered) ; Logic switching levels: CMOS ;
74AHC3GU04DP-Q100	NEXPERIA	获取价格	Triple unbuffered inverter

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