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74AHC1G09GW

更新时间： 2024-11-03 22:40:59

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		栅极逻辑集成电路光电二极管
页数	文件大小	规格书
11页	64K
描述
2-input AND gate with open-drain output

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74AHC1G09GW 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TSSOT
包装说明：	1.25 MM, PLASTIC, MO-203, SC-88A, SOT-353-1, TSSOP-5	针数：	5
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8542.39.00.01
风险等级：	5.43	系列：	AHC/VHC/H/U/V
JESD-30 代码：	R-PDSO-G5	JESD-609代码：	e3
长度：	2.05 mm	负载电容（CL）：	50 pF
逻辑集成电路类型：	AND GATE	最大I（ol）：	0.008 A
湿度敏感等级：	1	功能数量：	1
输入次数：	2	端子数量：	5
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
输出特性：	OPEN-DRAIN	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSSOP	封装等效代码：	TSSOP5/6,.08
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
包装方法：	TAPE AND REEL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	2/5.5 V	Prop。Delay @ Nom-Sup：	8.5 ns
传播延迟（tpd）：	12.5 ns	认证状态：	Not Qualified
施密特触发器：	NO	座面最大高度：	1.1 mm
子类别：	Gates	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	2 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	AUTOMOTIVE	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.65 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
宽度：	1.25 mm	Base Number Matches：	1

74AHC1G09GW 数据手册

74AHC1G09

2-input AND gate with open-drain output

Rev. 01 — 26 September 2005

Product data sheet

1. General description

The 74AHC1G09 is a high-speed Si-gate CMOS device.

The 74AHC1G09 provides the 2-input AND function with open-drain output.

The output of the 74AHC1G09 is an open drain and can be connected to other open-drain

outputs to implement active-LOW, wired-OR or active-HIGH wired-AND functions. For

digital operation this device must have a pull-up resistor to establish a logic HIGH level.

2. Features

■ High noise immunity

■ ESD protection:

◆ HBM JESD22-A114-C exceeds 2000 V

◆ MM JESD22-A115-A exceeds 200 V

■ Low power dissipation

■ Speciﬁed from −40 °C to +85 °C and from −40 °C to +125 °C.

3. Quick reference data

Table 1:

Quick reference data

GND = 0 V; T_amb= 25 °C; t_r= t_f≤ 3.0 ns.

Symbol

Parameter

Conditions

Min Typ Max Unit

t_PZL, t_PLZ

propagation delay

A and B to Y

V_CC= 4.5 V to 5.5 V;

C_L= 15 pF

3.2

5.5

C_i

input capacitance

1.5

[1]

C_PD

power dissipation

capacitance

C_L= 50 pF; f_i= 1 MHz;

V_I= GND to V_CC

[1] C_PDis used to determine the dynamic power dissipation (P_Din µW).

P_D= C_PD× V_CC²× f_i× N + (C_L× V_CC²× f_o) where:

f_i= input frequency in MHz;

f_o= output frequency in MHz;

C_L= output load capacitance in pF;

V_CC= supply voltage in Volts;

N = number of inputs switching;

(C_L× V_CC²× f_o) = dissipation due to the output if the combination of the pull up voltage and resistance

results in V_CCat the output.

12 3 4 5 6 7...11

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74AHC1G09GW 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
74AHC1G09GV	NXP	功能相似	2-input AND gate with open-drain output
MC74VHC1G09DFT1G	ONSEMI	功能相似	2−Input AND Gate with Open Drain Output

与74AHC1G09GW相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
74AHC1G09GW,125	NXP	获取价格	74AHC1G09 - 2-input AND gate with open-drain output TSSOP 5-Pin
74AHC1G09GW-G	NXP	获取价格	暂无描述
74AHC1G09GW-Q100	NXP	获取价格	AHC/VHC/H/U/V SERIES, 2-INPUT AND GATE, PDSO5, 1.25 MM, PLASTIC, MO-203, SC-88A, SOT353-1,
74AHC1G09GW-Q100	NEXPERIA	获取价格	2-input AND gate with open-drain outputProduction
74AHC1G09GW-Q100H	NXP	获取价格	74AHC1G09-Q100 - 2-input AND gate with open-drain output TSSOP 5-Pin
74AHC1G09Q	DIODES	获取价格	Single 2 Input AND Gate
74AHC1G09-Q100	NXP	获取价格	NXP Logic â Q100 logic portfolio
74AHC1G09SE-7	DIODES	获取价格	AND Gate, AHCT/VHCT/VT Series, 1-Func, 2-Input, CMOS, PDSO5, GREEN, SOT-353, 5 PIN
74AHC1G1	NXP	获取价格	Inverting Schmitt trigger
74AHC1G125	NXP	获取价格	Bus buffer/line driver; 3-state

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