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74AHC1G09GV

更新时间： 2024-01-01 11:48:38
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 栅极逻辑集成电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
10页 68K
描述
2-input AND gate with open-drain output

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74AHC1G09GV 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
包装说明：TSSOP, TSSOP5/6,.08Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.75Is Samacsys：N
JESD-30 代码：R-PDSO-G5负载电容（CL）：50 pF
逻辑集成电路类型：AND GATE最大I（ol）：0.008 A
端子数量：5最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C输出特性：OPEN-DRAIN
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSSOP
封装等效代码：TSSOP5/6,.08封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH包装方法：TAPE AND REEL
电源：2/5.5 VProp。Delay @ Nom-Sup：12.5 ns
认证状态：Not Qualified施密特触发器：NO
子类别：Gates表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：AUTOMOTIVE
端子形式：GULL WING端子节距：0.635 mm
端子位置：DUALBase Number Matches：1

74AHC1G09GV 数据手册

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74AHC1G09  
2-input AND gate with open-drain output  
Rev. 02 — 18 December 2007  
Product data sheet  
1. General description  
The 74AHC1G09 is a high-speed Si-gate CMOS device.  
The 74AHC1G09 provides the 2-input AND function with open-drain output.  
The output of the 74AHC1G09 is an open drain and can be connected to other open-drain  
outputs to implement active-LOW, wired-OR or active-HIGH wired-AND functions. For  
digital operation this device must have a pull-up resistor to establish a logic HIGH level.  
2. Features  
■ High noise immunity  
■ Low power dissipation  
■ SOT353-1 and SOT753 package options  
■ ESD protection:  
◆ HBM JESD22-A114E: exceeds 2000 V  
◆ MM JESD22-A115-A: exceeds 200 V  
◆ CDM JESD22-C101C: exceeds 1000 V  
■ Specified from −40 °C to +85 °C and from −40 °C to +125 °C.  
3. Ordering information  
Table 1.  
Ordering information  
Type number  
Package  
Temperature range Name  
Description  
Version  
74AHC1G09GW  
74AHC1G09GV  
−40 °C to +125 °C  
TSSOP5  
plastic thin shrink small outline package; 5 leads;  
body width 1.25 mm  
SOT353-1  
−40 °C to +125 °C  
SC-74A  
plastic surface-mounted package; 5 leads  
SOT753  
4. Marking  
Table 2.  
Marking  
Type number  
Marking code  
74AHC1G09GW  
74AHC1G09GV  
A9  
A09  
1234567...10

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74AHC1G09GV 替代型号

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