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74AC2708DC

更新时间: 2024-11-19 20:32:35
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美国国家半导体 - NSC 时钟先进先出芯片内存集成电路
页数 文件大小 规格书
16页 832K
描述
IC 64 X 9 OTHER FIFO, 50.5 ns, CDIP28, CERAMIC, DIP-28, FIFO

74AC2708DC 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:DIP, DIP28,.6Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.71
风险等级:5.92Is Samacsys:N
最长访问时间:50.5 ns其他特性:FALL THRU 34.5NS
最大时钟频率 (fCLK):30 MHz周期时间:59 ns
JESD-30 代码:R-GDIP-T28JESD-609代码:e0
内存密度:576 bit内存集成电路类型:OTHER FIFO
内存宽度:9功能数量:1
端子数量:28字数:64 words
字数代码:64工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:64X9输出特性:3-STATE
可输出:YES封装主体材料:CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码:DIP封装等效代码:DIP28,.6
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:3.3/5 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:5.715 mm最大待机电流:0.15 A
子类别:FIFOs最大压摆率:0.15 mA
最大供电电压 (Vsup):6 V最小供电电压 (Vsup):2 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:15.24 mm
Base Number Matches:1

74AC2708DC 数据手册

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