是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.71 |
风险等级: | 5.89 | 最长访问时间: | 20 ns |
最大时钟频率 (fCLK): | 33.3 MHz | JESD-30 代码: | R-PQCC-J32 |
JESD-609代码: | e0 | 内存集成电路类型: | OTHER FIFO |
内存宽度: | 9 | 湿度敏感等级: | 1 |
端子数量: | 32 | 字数: | 256 words |
字数代码: | 256 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
组织: | 256X9 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | QCCJ | 封装等效代码: | LDCC32,.5X.6 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | CHIP CARRIER |
峰值回流温度(摄氏度): | 225 | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 筛选级别: | 38535Q/M;38534H;883B |
最大待机电流: | 0.015 A | 子类别: | FIFOs |
最大压摆率: | 0.1 mA | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | MILITARY | 端子面层: | Tin/Lead (Sn85Pb15) |
端子形式: | J BEND | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
7200L30JGB8 | IDT |
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FIFO, 256X9, 30ns, Asynchronous, CMOS, PQCC32 | |
7200L30LB | IDT |
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FIFO, 256X9, 30ns, Asynchronous, CMOS, CQCC32 | |
7200L30SOB | IDT |
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FIFO, 256X9, 20ns, Asynchronous, CMOS, PDSO28 | |
7200L30SOGB | IDT |
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暂无描述 | |
7200L30TCB | IDT |
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FIFO, 256X9, 30ns, Asynchronous, CMOS, CDIP28 | |
7200L35F | IDT |
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FIFO, 256X9, 35ns, Asynchronous, CMOS, CDFP28 | |
7200L35JG | IDT |
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FIFO, 256X9, 35ns, Asynchronous, CMOS, PQCC32, GREEN, PLASTIC, LCC-32 | |
7200L35SO8 | IDT |
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SOIC-28, Reel | |
7200L35SOG | IDT |
获取价格 |
FIFO, 256X9, 35ns, Asynchronous, CMOS, PDSO28, GREEN, SOIC-28 | |
7200L35SOG8 | IDT |
获取价格 |
FIFO, 256X9, 35ns, Asynchronous, CMOS, PDSO28, PLASTIC, SOIC-28 |