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71V65602S133PF

更新时间: 2024-11-30 07:11:39
品牌 Logo 应用领域
罗彻斯特 - ROCHESTER 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
27页 1653K
描述
256KX36 ZBT SRAM, 4.2ns, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100

71V65602S133PF 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active零件包装代码:QFP
包装说明:14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100针数:100
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.87
最长访问时间:4.2 ns其他特性:PIPELINED ARCHITECTURE
JESD-30 代码:R-PQFP-G100JESD-609代码:e0
长度:20 mm内存密度:9437184 bit
内存集成电路类型:ZBT SRAM内存宽度:36
湿度敏感等级:NOT SPECIFIED功能数量:1
端子数量:100字数:262144 words
字数代码:256000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:256KX36封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:LQFP封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLATPACK, LOW PROFILE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):225认证状态:COMMERCIAL
座面最大高度:1.6 mm最大供电电压 (Vsup):3.465 V
最小供电电压 (Vsup):3.135 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:TIN LEAD
端子形式:GULL WING端子节距:0.65 mm
端子位置:QUAD处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:14 mmBase Number Matches:1

71V65602S133PF 数据手册

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