是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TQFP |
包装说明: | LQFP, | 针数: | 100 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.92 |
最长访问时间: | 11 ns | 其他特性: | ALSO REQUIRES 3V I/O SUPPLY |
JESD-30 代码: | R-PQFP-G100 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 20 mm | 内存密度: | 1048576 bit |
内存集成电路类型: | CACHE SRAM | 内存宽度: | 32 |
湿度敏感等级: | 3 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 100 | 字数: | 32768 words |
字数代码: | 32000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 32KX32 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | LQFP | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLATPACK, LOW PROFILE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 225 | 座面最大高度: | 1.6 mm |
最大供电电压 (Vsup): | 3.63 V | 最小供电电压 (Vsup): | 3.135 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.65 mm | 端子位置: | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 14 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
71V433S11PFG | IDT |
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暂无描述 | |
71V433S11PFI | IDT |
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32K x 32 3.3V Synchronous SRAM Flow-Through Outputs | |
71V433S12PF | IDT |
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32K x 32 3.3V Synchronous SRAM Flow-Through Outputs | |
71V433S12PFI | IDT |
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32K x 32 3.3V Synchronous SRAM Flow-Through Outputs | |
71V546 | RENESAS |
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3.3V 128K x 36 ZBT Synchronous PipeLined SRAM | |
71V546S100PF8 | IDT |
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ZBT SRAM, 128KX36, 5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, PLASTIC, TQFP-100 | |
71V546S100PFG | IDT |
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3.3V Synchronous SRAM | |
71V546S100PFG8 | IDT |
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Synchronous SRAM with ZBT Feature Burst Counter and Pipelined Outputs | |
71V546S100PFGI | IDT |
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3.3V Synchronous SRAM | |
71V546S100PFGI8 | IDT |
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Synchronous SRAM with ZBT Feature Burst Counter and Pipelined Outputs |