是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | CABGA |
包装说明: | BGA, | 针数: | 165 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | 风险等级: | 5.91 |
其他特性: | PIPELINED ARCHITECTURE | JESD-30 代码: | R-PBGA-B165 |
JESD-609代码: | e0 | 内存密度: | 4718592 bit |
内存集成电路类型: | CACHE SRAM | 内存宽度: | 18 |
湿度敏感等级: | 3 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 165 | 字数: | 262144 words |
字数代码: | 256000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 256KX18 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | BGA | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | GRID ARRAY | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 225 | 最大供电电压 (Vsup): | 3.465 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3.135 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn63Pb37) |
端子形式: | BALL | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
71V25781YS166PF | IDT |
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Cache SRAM, 256KX18, 3.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, PLASTIC, TQFP-100 | |
71V25781YS183BG | IDT |
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Cache SRAM, 256KX18, 3.3ns, CMOS, PBGA119, BGA-119 | |
71V25781YS183BGI | IDT |
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Cache SRAM, 256KX18, 3.3ns, CMOS, PBGA119, BGA-119 | |
71V25781YS183BQ | IDT |
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Cache SRAM, 256KX18, 3.3ns, CMOS, PBGA165, FBGA-165 | |
71V25781YS183PF | IDT |
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Cache SRAM, 256KX18, 3.3ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, PLASTIC, TQFP-100 | |
71V25781YS200BG | IDT |
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Cache SRAM, 256KX18, 3.1ns, CMOS, PBGA119, BGA-119 | |
71V25781YS200BQ | IDT |
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Cache SRAM, 256KX18, 3.1ns, CMOS, PBGA165, FBGA-165 | |
71V25781YS200PF | IDT |
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Cache SRAM, 256KX18, 3.1ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, PLASTIC, TQFP-100 | |
71V25781YSA166BGI8 | IDT |
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PBGA-119, Reel | |
71V25781YSA166BQI | IDT |
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CABGA-165, Tray |