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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TSOP2 |
| 包装说明： | TSOP2-32 | 针数： | 32 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | 3A991.B.2.B |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.36 |
| 最长访问时间： | 12 ns | 其他特性： | ALSO OPERATES WITH 3V TO 3.6 V SUPPLY |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PDSO-G32 |
| 长度： | 20.95 mm | 内存密度： | 1048576 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 8 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 32 | 字数： | 131072 words |
| 字数代码： | 128000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 128KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TSOP2 |
| 封装等效代码： | TSOP32,.46 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 | 电源： | 3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.2 mm |
| 最大待机电流： | 0.01 A | 最小待机电流： | 3 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.13 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 3.15 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 10.16 mm |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 71V124HSA12PHGI | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 12ns, CMOS, PDSO32 |
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| 71V124HSA12TY | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 12ns, CMOS, PDSO32 |
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| 71V124HSA12YG | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 12ns, CMOS, PDSO32 |
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| 71V124HSA12YGI | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 12ns, CMOS, PDSO32 |
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| 71V124HSA12YI | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 12ns, CMOS, PDSO32 |
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| 71V124HSA15PH | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 15ns, CMOS, PDSO32 |
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| 71V124HSA15TYG | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 15ns, CMOS, PDSO32 |
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| 71V124HSA15Y | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 15ns, CMOS, PDSO32 |
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| 71V124HSA20PH | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 20ns, CMOS, PDSO32 |
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| 71V124HSA20PHG | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 20ns, CMOS, PDSO32 |
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