5秒后页面跳转
71P74804S250BQG PDF预览

71P74804S250BQG

更新时间: 2024-11-06 19:29:11
品牌 Logo 应用领域
罗彻斯特 - ROCHESTER 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
22页 959K
描述
1MX18 QDR SRAM, 0.45ns, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, GREEN, FBGA-165

71P74804S250BQG 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:BGA
包装说明:13 X 15 MM, 1 MM PITCH, GREEN, FBGA-165针数:165
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.8
最长访问时间:0.45 ns其他特性:PIPELINED ARCHITECTURE
JESD-30 代码:R-PBGA-B165长度:15 mm
内存密度:18874368 bit内存集成电路类型:QDR SRAM
内存宽度:18湿度敏感等级:NOT SPECIFIED
功能数量:1端子数量:165
字数:1048576 words字数代码:1000000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:1MX18
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TBGA
封装形状:RECTANGULAR封装形式:GRID ARRAY, THIN PROFILE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):260
认证状态:COMMERCIAL座面最大高度:1.2 mm
最大供电电压 (Vsup):1.9 V最小供电电压 (Vsup):1.7 V
标称供电电压 (Vsup):1.8 V表面贴装:YES
温度等级:COMMERCIAL端子面层:NOT SPECIFIED
端子形式:BALL端子节距:1 mm
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:13 mmBase Number Matches:1

71P74804S250BQG 数据手册

 浏览型号71P74804S250BQG的Datasheet PDF文件第2页浏览型号71P74804S250BQG的Datasheet PDF文件第3页浏览型号71P74804S250BQG的Datasheet PDF文件第4页浏览型号71P74804S250BQG的Datasheet PDF文件第5页浏览型号71P74804S250BQG的Datasheet PDF文件第6页浏览型号71P74804S250BQG的Datasheet PDF文件第7页 

与71P74804S250BQG相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
71P74804S250BQG8 IDT

获取价格

CABGA-165, Reel
71P74804S300BQ IDT

获取价格

CABGA-165, Tray
71P74804S333BQ IDT

获取价格

CABGA-165, Tray
71P79104S167BQ IDT

获取价格

Standard SRAM, 2MX9, 0.5ns, CMOS, PBGA165
71P79104S167BQI IDT

获取价格

Standard SRAM, 2MX9, 0.5ns, CMOS, PBGA165
71P79104S200BQ IDT

获取价格

Standard SRAM, 2MX9, 0.45ns, CMOS, PBGA165
71P79104S200BQI IDT

获取价格

Standard SRAM, 2MX9, 0.45ns, CMOS, PBGA165
71P79104S250BQ IDT

获取价格

Standard SRAM, 2MX9, 0.45ns, CMOS, PBGA165
71P79104S250BQI IDT

获取价格

Standard SRAM, 2MX9, 0.45ns, CMOS, PBGA165
71P79604S167BQI8 IDT

获取价格

CABGA-165, Reel