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71682SA85EB

更新时间: 2024-01-06 15:34:12
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艾迪悌 - IDT 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
11页 737K
描述
Standard SRAM, 4KX4, 85ns, CMOS, CDFP24

71682SA85EB 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:not_compliant
风险等级:5.92最长访问时间:85 ns
I/O 类型:SEPARATEJESD-30 代码:R-XDFP-F24
JESD-609代码:e0内存密度:16384 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:4
端子数量:24字数:4096 words
字数代码:4000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
组织:4KX4输出特性:3-STATE
封装主体材料:CERAMIC封装代码:DFP
封装等效代码:FL24,.4封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLATPACK并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):225电源:5 V
认证状态:Not Qualified筛选级别:38535Q/M;38534H;883B
最大待机电流:0.01 A最小待机电流:4.5 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.11 mA
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:MILITARY
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:FLAT
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:30Base Number Matches:1

71682SA85EB 数据手册

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